西中浩之

Nishinaka Hiroyuki

所属機関・部署：
職名：准教授

研究分野 (2件)：電子デバイス、電子機器 , 結晶工学

研究キーワード (4件)：酸化物薄膜 , CVD , エピタキシャル成長 , 結晶成長

競争的資金等の研究課題 (8件)：

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論文 (77件)：

Kazuki Shimazoe, Hiroyuki Nishinaka, Masahiro Yoshimoto. Heteroepitaxial growth of a-, m-, and r-plane α-Ga2O3 thin films on rh-ITO electrodes for vertical device applications. Journal of Crystal Growth. 2024. 630
Yoko Taniguchi, Hiroyuki Nishinaka, Kazuki Shimazoe, Toshiyuki Kawaharamura, Kazutaka Kanegae, Masahiro Yoshimoto. Visible-light absorption of indium oxide thin films via Bi³⁺ doping for visible-light-responsive photocatalysis. Materials Chemistry and Physics. 2024. 315. 128961
Kazuki Shimazoe, Hiroyuki Nishinaka, Masahiro Yoshimoto. Demonstration of vertical schottky barrier diodes based on α-Ga2O3 thin films enabled by corundum structured rh-ITO bottom electrodes. MRS Advances. 2024
Shoma Hosaka, Hiroyuki Nishinaka, Temma Ogawa, Hiroki Miyake, Masahiro Yoshimoto. High conductivity of n-type β-Ga2O3(010) thin films achieved through Si doping by mist chemical vapor deposition. AIP Advances. 2024. 14. 1. 015040
Osamu Ueda, Hiroyuki Nishinaka, Noriaki Ikenaga, Noriyuki Hasuike, Masahiro Yoshimoto. TEM characterization of defects in κ-(Inx Ga1-x )2O3 thin film grown on (001) FZ-grown ε-GaFeO3 substrate by mist CVD. Japanese Journal of Applied Physics. 2023. 62. 12

MISC (16件)：

特許 (76件)：

講演・口頭発表等 (70件)：

Mist CVD for tailoring five polymorphs via epitaxial techniques
(SPIE Photonics West 2024)
可視光応答型光触媒応用に向けた Bi 添加In2O3 薄膜およびナノロッドの作製とその光学特性評価
(材料学会半導体エレクロトニクス部門委員会第3回研究会 2024)
ラマン分光法によるp 型GaAsBi の正孔移動度算出
(材料学会半導体エレクロトニクス部門委員会第3回研究会 2024)
発光デバイス応用に向けたCs-Cu-I 系のマイクロロッド成長と物性評価
(材料学会半導体エレクロトニクス部門委員会第3回研究会 2024)
熱の出入りを制御可能なスマートウインドウに向けたN ドープVO2 薄膜に関する研究
(材料学会半導体エレクロトニクス部門委員会第3回研究会 2024)

学位 (1件)：

経歴 (5件)：

受賞 (6件)：

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所属学会 (4件)：

IEEE , 日本材料学会 , 応用物理学会 , American Chemical Society

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西中 浩之