文献

J-GLOBAL ID：201802234678428782   整理番号：18A0178129

スマート積層技術を用いて作製された二端子III-V/Siタンデム太陽電池の結合抵抗の低減

Reduction of bonding resistance of two-terminal III-V/Si tandem solar cells fabricated using smart-stack technology

著者 (6件)： BABA Masaaki (Nagaoka Univ. Technol., Niigata, JPN) ,  MAKITA Kikuo (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  MIZUNO Hidenori (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Fukushima, JPN) ,  TAKATO Hidetaka (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Fukushima, JPN) ,  SUGAYA Takeyoshi (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  YAMADA Noboru (Nagaoka Univ. Technol., Niigata, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 56  号： 12  ページ： 122302.1-122302.5  発行年： 2017年12月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文は,トップセルとボトムセルをPdナノ粒子アレイを用いて結合した機械的に積層された二端子GaAs/Si-InGaP/Siタンデム太陽電池の結合抵抗を顕著に減らす方法を記述した。III-Vトップセルの電極の下のSiボトムセルの表面を部分的に覆った透明導電性酸化物(TCO)層は,充填因子(FF)と電池の変換効率を著しく増強した。部分的なTCO層は結合抵抗を減らし,従って,InGaP/SiのFFと効率を,それぞれ,1.20と1.11の因子だけ増大させる。結果として,効率は15%を超えた。TCO層の結合界面での光学損失を極小化することは,高効率太陽電池の作製において重要である。これを容易にするために,光学シミュレーションと実験的検証を通じて,タンデム太陽電池内の光学損失を完全に特性評価した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *太陽電池 ,  積層構造 ,  *電気抵抗 ,  ナノ粒子 ,  ヒ化ガリウム ,  インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  リン化物 ,  化合物半導体 ,  酸化物 ,  因子 ,  比率 ,  効率 ,  損失 ,  伝送損失 ,  シミュレーション
準シソーラス用語： *タンデム太陽電池 ,  InGaP ,  透明導電性酸化物 ,  充填因子 ,  変換効率 ,  光学損失 ,  光学シミュレーション

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

引用文献 (30件)：

• M. A. Green, Y. Hishikawa, W. Warta, E. D. Dunlop, D. H. Levi, J. HohlEbinger, and A. W. H. Ho-Baillie, Prog. Photovoltaics 25, 668 (2017).
• F. Dimroth, M. Grave, P. Beutel, U. Fiedeler, C. Karcher, T. N. D. Tibbits, E. Oliva, G. Siefer, M. Schachtner, A. Wekkeli, A. W. Bett, R. Krause, M. Piccin, N. Blanc, C. Drazek, E. Guiot, B. Ghyselen, T. Salvetat, A. Tauzin, T. Signamarcheix, A. Dobrich, T. Hannappel, and K. Schwarzburg, Prog. Photovoltaics 22, 277 (2014).
• W. Guter, J. Schöne, S. P. Philipps, M. Steiner, G. Siefer, A. Wekkeli, E. Welser, E. Oliva, A. W. Bett, and F. Dimroth, Appl. Phys. Lett. 94, 223504 (2009).
• T. Takamoto, E. Ikeda, H. Kurita, M. Ohmori, M. Yamaguchi, and M.-J. Yang, Jpn. J. Appl. Phys. 36, 6215 (1997).
• T. J. Grassman, D. J. Chmielewski, S. D. Carnevale, J. A. Carlin, and S. A. Ringel, IEEE J. Photovoltaics 6, 326 (2016).

タイトルに関連する用語 (3件)： 作製 ,  Si ,  タンデム太陽電池