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J-GLOBAL ID：201802264876849769   整理番号：18A0118454

PINダイオードを用いた4.5-/4.9-GHz帯域可変型GaN HEMT高効率電力増幅器

4.5/4.9-GHz-Band Tunable GaN HEMT High Efficiency Power Amplifier with PIN Diode Switches

著者 (3件)： 眞下和樹 (電通大) ,  石川亮 (電通大) ,  本城和彦 (電通大)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 117  号： 366(MW2017 142-161)  ページ： 1-6  発行年： 2017年12月12日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 次世代移動体通信に向けた,4.5-/4.9-GHz帯域可変型GaN HEMT高効率電力増幅器の設計・評価を行った。切替素子の挿入損失の影響を極力抑えるため,2倍波短絡用開放スタブに並行に追加線路を配置し,両端同士を各々PINダイオードで接続し,そのON/OFFで等価的に特性インピーダンスを変化させる,という構造を採用し,これを用いて基本波整合を変化させることで,高効率動作帯域の切替を実現した。試作の結果,ON時に4.6GHzで最大ドレイン効率62%,最大付加電力効率57%,飽和出力電力38dBm,OFF時に5.0GHzで最大ドレイン効率70%,最大付加電力効率66%,飽和出力電力38dBm,となり,両帯域での高効率動作が確認された。(著者抄録)

シソーラス用語： *移動通信 ,  HEMT ,  *電力増幅器 ,  整合器 ,  PINダイオード ,  可変性 ,  特性インピーダンス ,  電力付加効率 ,  *回路設計
準シソーラス用語： GaN HEMT ,  マイクロ波電力増幅器

分類 (2件)： 移動通信  (ND08030H) ,  増幅回路  (NC05040U)

引用文献 (11件)：

• N. O. Sokal, and A. D. Sokal, ′′Class-E A new class of high efficiency tuned single-ended switching power amplifiers,′′ IEEE J. Solid-State Circuits, vol. SC-10, pp.168-176, Jun. 1975.
• F.H. Raab, ′′Class-F power amplifiers with maximally flat waveforms,′′ IEEE Trans. Microw. Theory., vol. 45, no. 11, pp. 2007-2012, Nov. 1997.
• S. C. Cripps, RF Power Amplifiers for Wireless Communi-cations, 2nd ed. Norwood, MA: Artech House, 2006.
• S. Hun Ji, C. S. Cho, J. W. Lee, and J. Kim, ′′Con-current dual-band class-E power amplifier using compos-ite right/left-handed transmission line,′′ IEEE Trans. MTT, vol. 55, no. 6, pp. 1341-1347, Jun. 2007.
• R. Negra, A. Sadeve, S. Bensmida, and F. Ghannoxichi, ′′Concurrent dual-band class-F load coupling network for ap-plications at 1.7 and 2.14 GHz,′′ IEEE Trans. Circ. Syst. vol. 55, no. 3, pp. 259-263, Mar. 2008.

タイトルに関連する用語 (8件)： PINダイオード ,  GHz ,  帯域 ,  変型 ,  GaN ,  HEMT ,  高効率 ,  電力増幅器