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J-GLOBAL ID：201802276443738033   整理番号：18A2209627

SiO₂埋め込みによる光導波構造を有するIII族窒化物面発光レーザ

GaN-based vertical cavity surface emitting lasers with buried SiO₂ optical waveguide structures

著者 (9件)： 飯田涼介 (名城大 大学院理工学研究科) ,  林菜摘 (名城大 大学院理工学研究科) ,  村永亘 (名城大 大学院理工学研究科) ,  岩山章 (名城大 大学院理工学研究科) ,  竹内哲也 (名城大 大学院理工学研究科) ,  上山智 (名城大 大学院理工学研究科) ,  岩谷素顕 (名城大 大学院理工学研究科) ,  赤崎勇 (名城大 大学院理工学研究科) ,  赤崎勇 (名古屋大 赤崎記念研究セ)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 118  号： 330(ED2018 32-52)  ページ： 71-74  発行年： 2018年11月22日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 窒化物半導体面発光レーザのしきい値電流低減に向けて,SiO₂埋め込みによる光導波構造を検討した。本論文では,まず,SiO₂埋め込み構造における埋め込み層厚と存在しうるモードの関係を計算した。続いて,必要な埋め込み厚を有する構造の作製工程を最適化した。最後に,このSiO₂埋め込み構造を面発光レーザに適用し,室温連続動作時におけるしきい値電流の低減と導波構造の存在を示す高次モードを観測した。最大光出力は2.7mWであり,外部微分量子効率は11%であった。(著者抄録)

シソーラス用語： *垂直共振器形面発光レーザ ,  面発光レーザ ,  *窒化ガリウム ,  埋込み【挿入】 ,  二酸化ケイ素 ,  *光導波路 ,  電流 ,  閾値電流
準シソーラス用語： GaN ,  VCSEL

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

引用文献 (8件)：

• Yu Higuchi, Kunimichi Omae, Hiroaki Matsumura, and Takashi Mukai Appl. Phys. Express. 1 121102 (2008)
• Tien-Chang Lu, Chih-Chiang Kao, Hao-Chung Kuo, Gen-Sheng Huang, and Shing-Chung Wanga Appl. Phys. Lett, 92, 141102 (2008)
• Casey Holder, James S. Speck, Steven P. DenBaars Shuji Nakamura and Daniel Feezell Appl. Phys. Express 5, 092104 (2012)
• Shouichiro Izumi, Noriyuki Fuutagawa, Tatsushi Hamaguchi, Masahiro Murayama, Masaru Kuramoto, and Hironobu Narui. Appl. Phys. Express 8, 062702 (2015)
• Masaru Kuramoto, Seiichiro Kobayashi, Takanobu Akagi, Komei Tazawa , Kazufumi Tanaka, Tatsuma Saito, and Tetsuya Takeuchi. APL 112, 111104 (2018)

タイトルに関連する用語 (6件)： SiO2 ,  埋め込み ,  導波 ,  III族 ,  窒化物 ,  面発光レーザ