特許

J-GLOBAL ID：201803000060831438

GaN結晶の製造方法

発明者： 磯 憲司 ,  纐纈 明伯 ,  村上 尚
出願人/特許権者： 国立大学法人東京農工大学 ,  三菱ケミカル株式会社
代理人 (5件)： 川口 嘉之 ,  高田 大輔 ,  佐貫 伸一 ,  丹羽 武司 ,  下田 俊明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-045195
公開番号（公開出願番号）：特開2018-052797
出願日： 2017年03月09日
公開日（公表日）： 2018年04月05日
要約：

【課題】GaN種結晶上にGaN結晶を化学気相成長させる工程において、1100°C以上の成長温度を用いたときでも、歩留りが低下することのないGaN結晶製造方法を提供すること。【解決手段】GaN結晶製造方法は、金属GaとCl2の反応により気体塩化ガリウムを生成させ、該気体塩化ガリウムを不活性ガスからなるキャリアガスを用いてGaN種結晶上に供給するとともにNH3と反応させ、1100°C以上の成長温度で該GaN種結晶上にGaN結晶を成長させる気相成長工程を含む。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

金属GaとCl2の反応により気体塩化ガリウムを生成させ、該気体塩化ガリウムを不活性ガスからなるキャリアガスを用いてGaN種結晶上に供給するとともにNH3と反応させ、1100°C以上の成長温度で該GaN種結晶上にGaN結晶を成長させる気相成長工程を含む、GaN結晶製造方法。

IPC (3件)：

C30B 29/38 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

C30B29/38 D ,  C23C16/34 ,  H01L21/205

Fターム (52件)：

4G077AA02 ,  4G077AB02 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077EA01 ,  4G077ED02 ,  4G077TA04 ,  4G077TB03 ,  4G077TH01 ,  4K030AA03 ,  4K030AA13 ,  4K030AA18 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB01 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA04 ,  4K030FA10 ,  4K030GA02 ,  4K030JA01 ,  4K030JA06 ,  4K030JA10 ,  4K030LA14 ,  5F045AA03 ,  5F045AB14 ,  5F045AC00 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AC19 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AD17 ,  5F045AD18 ,  5F045AE29 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045AF20 ,  5F045BB12 ,  5F045CA01 ,  5F045CA07 ,  5F045CA09 ,  5F045DB02 ,  5F045DB04 ,  5F045DP03 ,  5F045DP28 ,  5F045DQ08 ,  5F045DQ10 ,  5F045EK26

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 周期表第13族金属窒化物半導体結晶の製造方法および周期表第13族金属窒化物半導体結晶の製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2013-061526   出願人：三菱化学株式会社
• III族窒化物半導体結晶の成長方法、III族窒化物半導体結晶基板の製造方法およびIII族窒化物半導体結晶基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-300459   出願人：住友電気工業株式会社
• GaN結晶の成長方法およびGaN結晶基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-156717   出願人：住友電気工業株式会社
• 第13族窒化物結晶の製造方法及び第13族窒化物結晶
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-083225   出願人：三菱化学株式会社
• GaN結晶基板およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-041140   出願人：住友電気工業株式会社