特許
J-GLOBAL ID:201803000724223082
異種コンタクトを具備する集積回路、及びそれを含む半導体装置
発明者:
,
,
,
,
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
伊東 忠重
, 伊東 忠彦
, 大貫 進介
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2018-071710
公開番号(公開出願番号):特開2018-182316
出願日: 2018年04月03日
公開日(公表日): 2018年11月15日
要約:
【課題】 異種コンタクトを具備する集積回路、及びそれを含む半導体装置を提供する。【解決手段】 ゲートライン上に離隔された平面上において、第1水平方向に延在された複数本の導電ラインであって、第1導電ライン及び第2導電ラインを含む複数本の導電ライン、ソース/ドレイン領域に接続された下面を有し、垂直方向に相互接続された下部ソース/ドレインコンタクト及び上部ソース/ドレインコンタクトを含むソース/ドレインコンタクト、並びにゲートラインに接続された下面を有し、垂直方向に延在されるゲートコンタクトを含み、上部ソース/ドレインコンタクトは、第1導電ラインの下に位置し、ゲートコンタクトは、第2導電ラインの下に位置する集積回路である。【選択図】 図5
請求項(抜粋):
基板上において、第1水平方向に延在される第1活性領域と、
前記第1活性領域上において、前記第1水平方向と交差する第2水平方向に延在されるゲートラインと、
前記第1活性領域上において、前記ゲートラインの一側に形成されたソース/ドレイン領域と、
前記ゲートライン上に離隔された平面上において、前記第1水平方向に延在された複数本の導電ラインであって、第1導電ライン及び第2導電ラインを含む複数本の導電ラインと、
前記ソース/ドレイン領域に接続された下面を有し、垂直方向に相互接続された下部ソース/ドレインコンタクト及び上部ソース/ドレインコンタクトを含むソース/ドレインコンタクトと、
前記ゲートラインに接続された下面を有し、垂直方向に延在されるゲートコンタクトと、を含み、
前記上部ソース/ドレインコンタクトは、前記第1導電ラインの下に位置し、
前記ゲートコンタクトは、前記第2導電ラインの下に位置することを特徴とする集積回路。
IPC (9件):
H01L 21/82
, H01L 21/320
, H01L 21/768
, H01L 23/522
, H01L 21/823
, H01L 27/092
, H01L 27/088
, H01L 21/822
, H01L 27/04
FI (7件):
H01L21/82 W
, H01L21/88 Z
, H01L21/90 B
, H01L21/82 B
, H01L27/092 F
, H01L27/088 D
, H01L27/04 D
Fターム (57件):
5F033GG01
, 5F033GG02
, 5F033HH08
, 5F033HH15
, 5F033HH18
, 5F033HH19
, 5F033HH20
, 5F033HH32
, 5F033HH33
, 5F033KK01
, 5F033MM19
, 5F033NN08
, 5F033NN11
, 5F033NN31
, 5F033NN32
, 5F033UU04
, 5F033VV06
, 5F038CA05
, 5F038CD00
, 5F038DF04
, 5F038DF05
, 5F038EZ01
, 5F038EZ02
, 5F038EZ15
, 5F038EZ20
, 5F048AA01
, 5F048AB04
, 5F048AC03
, 5F048BA01
, 5F048BA14
, 5F048BA15
, 5F048BB09
, 5F048BB13
, 5F048BF12
, 5F048BF15
, 5F048BF16
, 5F064AA04
, 5F064BB07
, 5F064BB09
, 5F064BB13
, 5F064BB14
, 5F064BB15
, 5F064BB35
, 5F064CC12
, 5F064CC25
, 5F064CC26
, 5F064DD07
, 5F064DD12
, 5F064DD24
, 5F064EE16
, 5F064EE19
, 5F064EE23
, 5F064EE26
, 5F064EE27
, 5F064EE56
, 5F064GG03
, 5F064HH12
引用特許:
出願人引用 (7件)
-
半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2014-175959
出願人:三星電子株式会社
-
半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2007-233105
出願人:NECエレクトロニクス株式会社
-
二重バッファベースゲートアレイセル
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-009846
出願人:エスジーエス-トムソンマイクロエレクトロニクス,インコーポレイテッド
全件表示
審査官引用 (7件)
-
半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2014-175959
出願人:三星電子株式会社
-
半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2007-233105
出願人:NECエレクトロニクス株式会社
-
二重バッファベースゲートアレイセル
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-009846
出願人:エスジーエス-トムソンマイクロエレクトロニクス,インコーポレイテッド
全件表示
前のページに戻る