特許
J-GLOBAL ID：201803003162859484

塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法

発明者：
吉田 勲

吉田 勲 について

, 
市川 幸司

市川 幸司 について


出願人/特許権者：
住友化学株式会社

住友化学株式会社 について


代理人 (1件)： 新樹グローバル・アイピー特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-005172
公開番号（公開出願番号）：特開2018-115158
出願日： 2018年01月16日
公開日（公表日）： 2018年07月26日
要約：
【課題】良好なラインエッジラフネスでレジストパターンを製造することができる塩、これを含むレジスト組成物及びレジストパターンの製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】式(I)で表される塩。[式中、Q1及びQ2、R1及びR2は、独立に水素原子、フッ素原子又はペルフルオロアルキル基等を表す。zは0〜6の整数。X1は、*-CO-O-、*-O-CO-等を表す。A1及びA2は独立に、置換基を有してもよい2価の炭化水素基を表す。R3及びR4は、独立に水素原子又は飽和炭化水素基を表す。R5は、ヒドロキシ基、式(aa1)又は式(aa2)で表される基を表す。R12〜R14は、独立に、アルキル基、脂環式炭化水素基等を表す。naは0又は1。R15及びR16は、独立に水素原子又は炭化水素基を表す。R17は炭化水素基を表す。)Z+は有機カチオンを表す。]【選択図】なし
請求項（抜粋）：
式(I)で表される塩。
IPC (6件)：
C07C 309/17 ,  C07C 381/12 ,  C07C 309/12 ,  G03F 7/004 ,  G03F 7/039 ,  G03F 7/20
FI (7件)：
C07C309/17 ,  C07C381/12 ,  C07C309/12 ,  G03F7/004 503A ,  G03F7/039 601 ,  G03F7/004 501 ,  G03F7/20 521
Fターム (47件)：
2H197AA12 ,  2H197CA01 ,  2H197CA06 ,  2H197CA07 ,  2H197CA08 ,  2H197CA09 ,  2H197CA10 ,  2H197CE01 ,  2H197CE10 ,  2H197GA01 ,  2H197HA03 ,  2H197JA22 ,  2H225AC08 ,  2H225AF11P ,  2H225AF16P ,  2H225AF24P ,  2H225AF25P ,  2H225AF48P ,  2H225AF52P ,  2H225AF53P ,  2H225AF54P ,  2H225AF67P ,  2H225AF68P ,  2H225AF69P ,  2H225AF71P ,  2H225AF91P ,  2H225AF92P ,  2H225AF99P ,  2H225AH17 ,  2H225AH19 ,  2H225AJ13 ,  2H225AJ48 ,  2H225AJ53 ,  2H225AJ54 ,  2H225AJ60 ,  2H225AN38P ,  2H225AN39P ,  2H225AN54P ,  2H225BA02P ,  2H225BA26P ,  2H225CA12 ,  2H225CB18 ,  2H225CC03 ,  2H225CC15 ,  4H006AA01 ,  4H006AA03 ,  4H006AB81
引用特許：
審査官引用 (6件)
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