特許
J-GLOBAL ID:201303045153885569

パターン形成方法、感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物、及び、レジスト膜、並びに、これらを用いた電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 高松 猛 ,  尾澤 俊之 ,  長谷川 博道
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2011-218549
公開番号(公開出願番号):特開2013-080005
出願日: 2011年09月30日
公開日(公表日): 2013年05月02日
要約:
【課題】電子線あるいは極紫外線(EUV光)を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、高感度、かつパターン倒れ性能に優れ、更には、パターン下部に食い込みの生じない形状に優れたパターン形成方法、感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物、及び、レジスト膜、並びに、これらを用いた電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスを提供する。【解決手段】(A)酸分解性繰り返し単位を含有し、酸の作用により有機溶剤を含む現像液に対する溶解度が減少する樹脂と、(B)電子線又は極紫外線の照射により酸を発生し、かつ酸の作用により分解し有機溶剤に対する溶解度が減少する低分子化合物とを含有する感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程(1)、該膜を電子線又は極紫外線を用いて露光する工程(2)、及び、露光後に有機溶剤を含む現像液を用いて現像して、ネガ型のパターンを形成する工程(4)をこの順番で有する、パターン形成方法、これに供される感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物、及び、これを用いて形成されたレジスト膜。また、上記パターン形成方法を用いた、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス。【選択図】なし
請求項(抜粋):
(A)酸分解性繰り返し単位を含有し、酸の作用により有機溶剤を含む現像液に対する溶解度が減少する樹脂と、(B)電子線又は極紫外線の照射により酸を発生し、かつ酸の作用により分解し有機溶剤に対する溶解度が減少する低分子化合物とを含有する感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程(1)、該膜を電子線又は極紫外線を用いて露光する工程(2)、及び、露光後に有機溶剤を含む現像液を用いて現像して、ネガ型のパターンを形成する工程(4)をこの順番で有する、パターン形成方法。
IPC (6件):
G03F 7/004 ,  G03F 7/038 ,  G03F 7/039 ,  G03F 7/32 ,  H01L 21/027 ,  C08F 220/10
FI (6件):
G03F7/004 503A ,  G03F7/038 601 ,  G03F7/039 601 ,  G03F7/32 ,  H01L21/30 502R ,  C08F220/10
Fターム (108件):
2H096AA25 ,  2H096BA06 ,  2H096EA06 ,  2H096EA07 ,  2H096GA03 ,  2H125AF17P ,  2H125AF18P ,  2H125AF19P ,  2H125AF20P ,  2H125AF21P ,  2H125AF22P ,  2H125AF35P ,  2H125AF36P ,  2H125AF37P ,  2H125AF38P ,  2H125AF45P ,  2H125AF70N ,  2H125AH03 ,  2H125AH05 ,  2H125AH08 ,  2H125AH11 ,  2H125AH12 ,  2H125AH14 ,  2H125AH15 ,  2H125AH17 ,  2H125AH19 ,  2H125AH22 ,  2H125AH25 ,  2H125AH29 ,  2H125AJ02Y ,  2H125AJ04X ,  2H125AJ12X ,  2H125AJ12Y ,  2H125AJ14X ,  2H125AJ14Y ,  2H125AJ42Y ,  2H125AJ43Y ,  2H125AJ48X ,  2H125AJ48Y ,  2H125AJ52X ,  2H125AJ65X ,  2H125AJ65Y ,  2H125AJ68Y ,  2H125AJ69X ,  2H125AJ70X ,  2H125AL02 ,  2H125AL03 ,  2H125AL11 ,  2H125AM66P ,  2H125AM86P ,  2H125AM99P ,  2H125AN38P ,  2H125AN39P ,  2H125AN42P ,  2H125AN63P ,  2H125AN67P ,  2H125AN82P ,  2H125AN86P ,  2H125BA01P ,  2H125BA26P ,  2H125BA32P ,  2H125BA33P ,  2H125CA12 ,  2H125CB12 ,  2H125CB16 ,  2H125CC01 ,  2H125CC03 ,  2H125CC15 ,  4J100AB07P ,  4J100AB07Q ,  4J100AB07R ,  4J100AB07S ,  4J100AL03Q ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL08S ,  4J100AM21S ,  4J100AR09R ,  4J100BA02Q ,  4J100BA03P ,  4J100BA03Q ,  4J100BA03R ,  4J100BA03S ,  4J100BA11P ,  4J100BA15Q ,  4J100BA40P ,  4J100BB18R ,  4J100BC03R ,  4J100BC04Q ,  4J100BC04R ,  4J100BC09Q ,  4J100BC09R ,  4J100BC12Q ,  4J100BC43P ,  4J100BC43Q ,  4J100BC43R ,  4J100BC43S ,  4J100BC48Q ,  4J100BC52P ,  4J100BC53P ,  4J100BC58P ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100DA01 ,  4J100DA04 ,  4J100JA38
引用特許:
審査官引用 (16件)
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