半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：片山修平
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-159688
公開番号（公開出願番号）：特開2015-032628
特許番号：特許第6241915号
出願日： 2013年07月31日
公開日（公表日）： 2015年02月16日
請求項（抜粋）：

【請求項1】窒化シリコン、酸化シリコン、及び酸窒化シリコンの何れかからなる絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜の表面に対して窒化の処理を行う工程と、前記窒化の処理を行った後、前記絶縁膜の表面に接してレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜に対して電子ビームを照射して露光を行う工程と、を具備し、前記窒化の処理は、窒素濃度100%、圧力0.03torr〜5torr、RF電力50W〜800W、温度25°C〜350°C、処理時間1分〜10分の条件で前記絶縁膜の表面を窒素プラズマに曝すことで行う、半導体装置の製造方法。

IPC (1件)：