特許
J-GLOBAL ID：201803004157856333
薄膜トランジスタスイッチ及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
米田 耕一郎
, 鈴木 征四郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-539383
特許番号：特許第6279086号
出願日： 2013年09月13日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 薄膜トランジスタスイッチの制御方法であって、
前記薄膜トランジスタスイッチは、
ゲートと、ドレインと、ソースと、半導体層と、第四電極とからなり、
前記ドレインは、第一信号と接続され、
前記ゲートは、制御信号と接続されることで当該薄膜トランジスタスイッチの導通或はオフを制御し、
前記スイッチ導通時、前記ソースは、前記第一信号を出力し、
前記第四電極と前記ゲートは、それぞれ前記半導体層の両側に設けられ、
前記第四電極は、導電素材からなり、
当該薄膜トランジスタスイッチの制御方法は、
当該薄膜トランジスタスイッチの導通時、前記ゲートと前記第四電極とは、高電位を受け取り、
また更に、
当該薄膜トランジスタスイッチのスイッチオフ時、
前記ゲートは、低電位を受け取り、
前記第四電極は、高電位と接続されることで、前記半導体層中に蓄積され且つ前記ゲートから離れた側の電子を誘導した後、
前記第四電極は、低電位を受け取る
ことを特徴とする薄膜トランジスタスイッチの制御方法。
IPC (3件)：
H01L 29/786 ( 200 6.01)
, H01L 21/822 ( 200 6.01)
, H01L 27/04 ( 200 6.01)
H01L 29/78 617 N
, H01L 27/04 T
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (10件)
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