特許
J-GLOBAL ID：201803005008620935
発光ダイオードディスプレイの製造方法および発光ダイオードディスプレイ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鷲田 公一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-534972
特許番号：特許第6262745号
出願日： 2013年09月30日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 A)基板上面(20)を有する成長基板(2)を設けるステップと、
B)前記基板上面(20)に間接的にまたは直接的に少なくとも1層の緩衝層(3,4)を形成するステップと、
C)前記緩衝層(3,4)上または前記緩衝層(3,4)に複数の個別の成長点(45)を形成するステップと、
D)前記成長点(45)を起点として個々の放射活性島部(5)を形成するステップであって、前記島部(5)は、それぞれ、少なくとも1つの活性領域(55)を有する無機半導体積層体(50)を含み、前記島部(5)の前記基板上面(20)の上面視における平均径は、50nm〜20μm(両端値を含む)であり、前記島部(5)の平均高さを平均径で割った商は1を越えかつ25未満とする、ステップと、
E)前記島部(5)を電気的に作動させるために、前記島部(5)とトランジスタ(6)とを相互接続するステップであって、前記トランジスタ(6)のそれぞれは、1つの前記島部(5)と関連付けられ、前記島部(5)によって、発光ダイオードディスプレイ(1)の画素が形成されるステップと、を含み、
前記トランジスタ(6)は、前記成長基板(2)内に形成され、
前記成長基板(2)内に形成された前記トランジスタ(6)と、当該トランジスタ(6)のそれぞれに関連付けられ、前記成長基板(2)上にエピタキシャル成長した前記島部(5)とは、前記成長基板(2)の上面視において互いに重なっている、
発光ダイオードディスプレイ(1)の製造方法。
IPC (5件)：
G09F 9/00 ( 200 6.01)
, G09F 9/33 ( 200 6.01)
, H01L 33/24 ( 201 0.01)
, H01L 33/32 ( 201 0.01)
, H01L 33/00 ( 201 0.01)
G09F 9/00 338
, G09F 9/33
, H01L 33/24
, H01L 33/32
, H01L 33/00 L
