特許
J-GLOBAL ID：201803007088520343
プラズマ処理システムにおける不活性物優勢パルス化
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
特許業務法人明成国際特許事務所
, 井上 佳知
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-540631
特許番号：特許第6325448号
出願日： 2012年11月12日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 プラズマ処理システムのプラズマ処理チャンバ内で基板を処理するための方法であって、前記プラズマ処理チャンバは、少なくとも1つのプラズマ発生源と、前記プラズマ処理チャンバの内部領域にプロセスガスを供給するための少なくとも1つのガス源とを有し、前記方法は、
RF周波数を有するRF信号で前記プラズマ発生源を励起し、
第1のプロセスガスが、第1のガスパルス周波数に関連するガスパルス周期の第1の部分の間に前記プラズマ処理チャンバ内に流入されると共に、第2のプロセスガスが、前記第1のガスパルス周波数に関連する前記ガスパルス周期の第2の部分の間に前記プラズマ処理チャンバ内に流入されるように、少なくとも前記第1のガスパルス周波数を用いて前記ガス源をパルス化すること、
を備え、
前記ガス源のパルス化は、さらに、前記反応ガスの流れの前記少なくとも一部を除去することによって引き起こされる圧力低下を少なくとも部分的に補うように、前記ガスパルス周期の前記第1の部分の間の不活性ガスの流量よりも高い流量の前記不活性ガスを前記ガスパルス周期の前記第2の部分の間に流すことを備え、
前記第2のプロセスガスは、前記第1のプロセスガスの反応ガス対不活性ガスの比よりも低い反応ガス対不活性ガスの比を有し、前記第2のプロセスガスは、前記第1のプロセスガスから反応ガスの流量を減少させることによって形成される、方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3065 ( 200 6.01)
, H05H 1/46 ( 200 6.01)
H01L 21/302 101 C
, H01L 21/302 101 B
, H05H 1/46 L
, H05H 1/46 M
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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