処理装置及び処理装置の作製方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-141167
公開番号（公開出願番号）：特開2016-208046
特許番号：特許第6302010号
出願日： 2016年07月19日
公開日（公表日）： 2016年12月08日
請求項（抜粋）：

【請求項1】レジスタアレイと、前記レジスタアレイと機能的に接続されているALUと、前記ALUと機能的に接続されている命令レジスタと、を有し、前記レジスタアレイ、前記ALU及び前記命令レジスタの少なくとも一は、第1のトランジスタと、前記第1のトランジスタ上方の第2のトランジスタと、を有し、前記第1のトランジスタのチャネル形成領域は、シリコンを有し、前記第2のトランジスタは、チャネル形成領域を酸化物半導体層に有し、前記第1のトランジスタのゲート電極は、前記第2のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と電気的に接続されていることを特徴とする処理装置。

IPC (8件)：

H01L 21/8234 ( 200 6.01) , H01L 27/088 ( 200 6.01) , H01L 29/786 ( 200 6.01) , H01L 21/336 ( 200 6.01) , H01L 21/8239 ( 200 6.01) , H01L 27/105 ( 200 6.01) , H01L 27/10 ( 200 6.01) , H01L 27/146 ( 200 6.01)

FI (7件)：

H01L 27/088 E , H01L 29/78 613 Z , H01L 29/78 618 B , H01L 29/78 627 F , H01L 27/105 441 , H01L 27/10 461 , H01L 27/146 C

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-249828 出願人：富士通株式会社
半導体装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-311892 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
トランジスタ構造及びその製作方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2005-501592 出願人：ザ・ステート・オブ・オレゴン・アクティング・バイ・アンド・スルー・ザ・ステート・ボード・オブ・ハイヤー・エデュケーション・オン・ビハーフ・オブ・オレゴン・ステート・ユニバーシティ

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