窒化物結晶の製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人特許事務所サイクス
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-051986
公開番号（公開出願番号）：特開2018-115110
出願日： 2018年03月20日
公開日（公表日）： 2018年07月26日
要約：

【課題】アモノサーマル法において、窒化物結晶を製造する際に用いる結晶原料の条件を制御することにより成長速度を向上させ、原料利用効率を高めて、効率良く品質の優れた窒化物結晶を製造する方法および、アモノサーマル法において、窒化物結晶を製造する際に用いる結晶原料の条件を制御することにより、成長速度を向上させるとともに、優れた導電性を有する窒化物結晶を効率良く製造する方法の提供。【解決手段】窒化物結晶原料を反応容器の原料充填領域9に充填し、反応容器中で超臨界および/または亜臨界状態の溶媒存在下にて結晶成長を行う窒化物結晶の製造方法であって、前記窒化物結晶原料を原料充填領域に0.7〜4.5g/cm3の嵩密度で充填して結晶成長を行う。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

窒化物結晶原料を反応容器の原料充填領域に充填し、反応容器中で超臨界および/または亜臨界状態の溶媒存在下にて結晶成長を行う窒化物結晶の製造方法であって、前記窒化物結晶原料を原料充填領域に0.7〜4.5g/cm3の嵩密度で充填して結晶成長を行うことを特徴とする、窒化物結晶の製造方法。

IPC (2件)：

C30B 29/38 , C30B 7/10

FI (2件)：

C30B29/38 D , C30B7/10

Fターム (8件)：

4G077AA02 , 4G077BE15 , 4G077CB03 , 4G077EC02 , 4G077EC10 , 4G077EG25 , 4G077EH09 , 4G077KA01

引用特許：

出願人引用 (6件)

窒化物単結晶のアニール処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-218275 出願人：三菱化学株式会社
窒化ガリウム結晶、ホモエピタキシャル窒化ガリウムを基材とするデバイス、及びその製造方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2004-565702 出願人：ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ
窒化物結晶の製造方法、窒化物結晶およびその製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-002145 出願人：三菱化学株式会社, 国立大学法人東北大学

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審査官引用 (6件)

窒化物単結晶のアニール処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-218275 出願人：三菱化学株式会社
窒化ガリウム結晶、ホモエピタキシャル窒化ガリウムを基材とするデバイス、及びその製造方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2004-565702 出願人：ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ
窒化物結晶の製造方法、窒化物結晶およびその製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-002145 出願人：三菱化学株式会社, 国立大学法人東北大学

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