半導体装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：筒井大和 , 菅田篤志 , 筒井章子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-043767
公開番号（公開出願番号）：特開2018-093239
出願日： 2018年03月12日
公開日（公表日）： 2018年06月14日
要約：

【課題】半導体装置の特性を向上させる。【解決手段】基板Sの上方に形成された電位固定層VC、チャネル下地層UC、チャネル層CHおよび障壁層BAのうち、障壁層BAを貫通し、チャネル層CHの途中まで到達する溝Tと、この溝T内にゲート絶縁膜GIを介して配置されたゲート電極GEと、ゲート電極GEの両側の障壁層BAの上方にそれぞれ形成されたソース電極SEおよびドレイン電極DEとを有するように半導体装置を構成する。そして、電位固定層VCまで到達する貫通孔THの内部の接続部VIAにより、電位固定層VCとソース電極SEとを電気的に接続する。これにより、閾値電位やオン抵抗などの特性の変動を低減することができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板の上方に形成された第1窒化物半導体層と、前記第1窒化物半導体層上に形成された第2窒化物半導体層と、前記第2窒化物半導体層上に形成された第3窒化物半導体層と、前記第3窒化物半導体層上に形成された第4窒化物半導体層と、前記第4窒化物半導体層を貫通し、前記第3窒化物半導体層の途中まで到達する溝と、前記溝内にゲート絶縁膜を介して配置されたゲート電極と、前記ゲート電極の両側の前記第4窒化物半導体層の上方にそれぞれ形成された第1電極および第2電極と、前記第1電極と第1窒化物半導体層との間を接続する接続部と、を有し、前記第2窒化物半導体層の電子親和力は、前記第1窒化物半導体層の電子親和力より小さく、前記第3窒化物半導体層の電子親和力は、前記第2窒化物半導体層の電子親和力より大きく、前記第4窒化物半導体層の電子親和力は、前記第2窒化物半導体層の電子親和力より小さく、前記第1窒化物半導体層は、p型の不純物を含有し、活性化した前記p型の不純物濃度は、1×1017cm-3未満である、半導体装置。

IPC (9件)：

H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 21/336 , H01L 29/78 , H01L 21/28 , H01L 29/417 , H01L 29/423 , H01L 29/49

FI (7件)：

H01L29/80 H , H01L29/78 301B , H01L21/28 301B , H01L21/28 301R , H01L29/50 M , H01L29/58 G , H01L29/50 J

Fターム (96件)：

4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB03 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB19 , 4M104BB21 , 4M104BB25 , 4M104BB29 , 4M104BB30 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD08 , 4M104DD15 , 4M104DD16 , 4M104DD17 , 4M104DD37 , 4M104EE03 , 4M104EE06 , 4M104EE16 , 4M104EE17 , 4M104FF13 , 4M104GG09 , 4M104GG11 , 4M104GG14 , 4M104GG18 , 4M104HH15 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD10 , 5F102GJ03 , 5F102GJ04 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GK08 , 5F102GL04 , 5F102GN04 , 5F102GN08 , 5F102GR04 , 5F102GR12 , 5F102GS04 , 5F102GS06 , 5F102GS09 , 5F102GV06 , 5F102GV07 , 5F102GV08 , 5F140AA06 , 5F140BA01 , 5F140BA02 , 5F140BA06 , 5F140BA09 , 5F140BA16 , 5F140BA17 , 5F140BA20 , 5F140BB06 , 5F140BB15 , 5F140BB18 , 5F140BC12 , 5F140BD05 , 5F140BD07 , 5F140BD11 , 5F140BE03 , 5F140BE09 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF05 , 5F140BF07 , 5F140BF10 , 5F140BF11 , 5F140BF43 , 5F140BF53 , 5F140BG30 , 5F140BH03 , 5F140BH07 , 5F140BJ05 , 5F140BJ07 , 5F140BJ10 , 5F140BJ11 , 5F140BK25 , 5F140CB02 , 5F140CB04 , 5F140CB10 , 5F140CC01 , 5F140CC02 , 5F140CC03 , 5F140CC08 , 5F140CC09 , 5F140CC12 , 5F140CC13 , 5F140CD02

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-275057 出願人：次世代パワーデバイス技術研究組合
ヘテロ接合電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-133591 出願人：シャープ株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-316247 出願人：松下電器産業株式会社

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