特許
J-GLOBAL ID：200903017901369556

ヘテロ接合電界効果トランジスタ

発明者：
吐田 真一

吐田 真一 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 清水 敏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-133591
公開番号（公開出願番号）：特開2008-288474
出願日： 2007年05月21日
公開日（公表日）： 2008年11月27日
要約：
【課題】リーク電流の発生を抑制し、良好なピンチオフ特性を有するAlGaN/GaNダブルへテロ接合電解効果トランジスタを提供する。【解決手段】AlGaN/GaNダブルへテロ接合電界効果トランジスタ80は、不純物としてFeを含むGaNバッファ層92と、AlGaN第1バリア層94を含む。Feは、キャリアトラップ効果とバッファ層92の伝導帯のエネルギーレベルEcの上昇とをもたらす。これらのことは、バッファ層92/第1バリア層94界面へのキャリアの蓄積を抑制し、リーク電流を低減する。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
基板と、 前記基板上に形成された、第1の種類の半導体からなるバッファ層と、 前記バッファ層上に形成された、前記第1の種類と異なる第2の種類の半導体からなる第1導電型の第1のバリア層と、 前記第1のバリア層上に形成された、前記第2の種類と異なる第3の種類の半導体からなるチャネル層と、 前記チャネル層上に形成された、前記第3の種類と異なる第4の種類の半導体からなる第1導電型の第2のバリア層と、 前記第2のバリア層上に形成されたソース電極、ゲート電極、及びドレイン電極とを含み、 前記第3の種類の半導体は、前記第2の種類の半導体及び前記第4の種類の半導体よりもバンドギャップの小さな半導体からなり、 前記バッファ層には不純物が導入されていることを特徴とする、ヘテロ接合電界効果トランジスタ。
IPC (5件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/205 ,  C23C 16/34
FI (3件)：
H01L29/80 H ,  H01L21/205 ,  C23C16/34
Fターム (35件)：
4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030LA14 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC19 ,  5F045AF02 ,  5F045BB16 ,  5F045CA06 ,  5F045DA53 ,  5F045DA63 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ02 ,  5F102GQ03 ,  5F102GR07 ,  5F102HC01 ,  5F102HC07
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (9件)
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