半導体装置

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-084378
公開番号（公開出願番号）：特開2018-113491
出願日： 2018年04月25日
公開日（公表日）： 2018年07月19日
要約：

【課題】安定した電気的特性を有する酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを目的の一つとする。【解決手段】フッ素や塩素に代表されるハロゲン元素により、酸化物半導体層に含まれる水素や水分(水素原子や、H2Oなど水素原子を含む化合物)などの不純物を、酸化物半導体層より排除し、上記酸化物半導体層中の不純物濃度を低減する。ハロゲン元素は酸化物半導体層と接して設けられるゲート絶縁層及び/又は絶縁層に含ませて形成することができ、またハロゲン元素を含むガス雰囲気下でのプラズマ処理によって酸化物半導体層に付着させてもよい。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ゲート電極層と、前記ゲート電極層上にハロゲン元素を含むゲート絶縁層と、前記ハロゲン元素を含むゲート絶縁層上に酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層上にソース電極層及びドレイン電極層と、前記酸化物半導体層、前記ソース電極層及びドレイン電極層上に前記酸化物半導体層の一部と接する絶縁層を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/336 , H01L 29/786

FI (2件)：

H01L29/78 617S , H01L29/78 618B

Fターム (76件)：

5F110AA14 , 5F110BB01 , 5F110CC03 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD07 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE23 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF07 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110FF35 , 5F110FF36 , 5F110GG01 , 5F110GG06 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG32 , 5F110GG34 , 5F110GG35 , 5F110GG43 , 5F110GG57 , 5F110GG58 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK17 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK41 , 5F110HL01 , 5F110HL07 , 5F110HL09 , 5F110NN03 , 5F110NN16 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN25 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN36 , 5F110NN40 , 5F110QQ02 , 5F110QQ04 , 5F110QQ05 , 5F110QQ09

引用特許：

審査官引用 (9件)

発光装置とその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-036044 出願人：キヤノン株式会社
アモルファス酸化物膜をチャネル層に用いた電界効果型トランジスタ、アモルファス酸化物膜をチャネル層に用いた電界効果型トランジスタの製造方法及びアモルファス酸化物膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-221552 出願人：キヤノン株式会社
薄膜トランジスタとその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-227848 出願人：株式会社日立製作所

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