特許
J-GLOBAL ID：200903060946281482

トランジスタおよびそのゲート絶縁膜の成膜に用いるCVD装置

発明者：
津幡 俊英

津幡 俊英 について

, 
杉原 利典

杉原 利典 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (3件)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 祐二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-404895
公開番号（公開出願番号）：特開2005-167019
出願日： 2003年12月03日
公開日（公表日）： 2005年06月23日
要約：
【課題】CVD装置を用いてゲート電極が成膜されるトランジスタを、液晶表示装置の画素電極に対するスイッチング素子として使用するに際し、成膜室内のクリーニングガス中のフッ素成分によるゲート絶縁膜(3)中の含有フッ素濃度の上限値を適正化するとともに、フッ素濃度の低減を容易に実現できるようにする。【解決手段】成膜室の電極表面を非多孔質化することにより、クリーニングガス中のフッ素成分の成膜室内への残留自体を抑える。そして、ゲート絶縁膜(3)中の含有フッ素濃度を、1×1020atoms/cm3 以下、さらに望ましくは1×1019atoms/cm3 以下に抑えるようにする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
相対向するように配置されたソース電極およびドレイン電極と、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に配置された少なくとも1層の半導体膜と、前記半導体膜に近接するように配置されたゲート電極と、前記ソース電極,前記ドレイン電極および前記半導体層と前記ゲート電極との間に配置されたゲート絶縁膜とを備えたトランジスタであって、 前記ゲート絶縁膜中に含まれる含有フッ素濃度が、1×1020atoms/cm3 以下であることを特徴とするトランジスタ。
IPC (3件)：
H01L21/336 ,  H01L21/31 ,  H01L29/786
FI (3件)：
H01L29/78 617V ,  H01L21/31 C ,  H01L29/78 617T
Fターム (28件)：
5F045AA08 ,  5F045AB33 ,  5F045AF01 ,  5F045BB06 ,  5F045CA15 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EH08 ,  5F110AA07 ,  5F110AA14 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110FF03 ,  5F110FF07 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG15 ,  5F110GG24 ,  5F110GG26 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK09 ,  5F110HK16 ,  5F110HK21 ,  5F110HK25
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (9件)
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