特許
J-GLOBAL ID：201803013605982034

半導体装置

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

, 
松田 慎平

松田 慎平 について

, 
太田 将志

太田 将志 について

, 
石原 典隆

石原 典隆 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-082168
公開番号（公開出願番号）：特開2018-152572
出願日： 2018年04月23日
公開日（公表日）： 2018年09月27日
要約：
【課題】電気特性が良好な半導体装置を提供する。【解決手段】トランジスタ100は、基板101上の絶縁層103と、絶縁層103上の酸化物層105aと、酸化物層105a上の酸化物半導体層105bと、酸化物半導体層105b上のソース電極107a及びドレイン電極107bと、ソース電極107a上のソース電極109aと、ドレイン電極107b上のドレイン電極109bと、ソース電極109a及びドレイン電極109b上の酸化物層105cと、酸化物層105c上のゲート絶縁層111と、ゲート絶縁層111上のゲート電極113と、を有する。酸化物半導体層の上下に酸化物層を有する構成とすることで、酸化物半導体層に不純物が混入することを抑制する。酸化物半導体層がソース電極及びドレイン電極と接する構成とすることで、酸化物層を介して電気的に接続する場合に比べてソースとドレインの間の抵抗の上昇を防ぐ。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
チャネルを形成する島状の酸化物半導体層と、 前記酸化物半導体層の上面と接する第1のソース電極及び第1のドレイン電極と、 前記第1のソース電極と電気的に接続される第2のソース電極と、 前記第1のドレイン電極と電気的に接続される第2のドレイン電極と、 前記第1のソース電極、前記第1のドレイン電極、前記第2のソース電極、及び前記第2のドレイン電極上の第2の酸化物層と、 前記第2の酸化物層上のゲート絶縁層と、 前記ゲート絶縁層を介して前記酸化物半導体層と重畳するゲート電極と、を有し、 前記第2の酸化物層の電子親和力は、前記酸化物半導体層の電子親和力よりも小さく、 前記第2のソース電極、前記第2のドレイン電極、及び第2の酸化物層が、前記酸化物半導体層の上面とそれぞれ接することを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088
FI (4件)：
H01L29/78 618E ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618Z ,  H01L27/088 E
Fターム (112件)：
5F048AC01 ,  5F048AC10 ,  5F048BA11 ,  5F048BA14 ,  5F048BB02 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BF07 ,  5F048BF16 ,  5F048BG13 ,  5F048CB01 ,  5F048CB03 ,  5F110AA06 ,  5F110AA24 ,  5F110BB01 ,  5F110BB02 ,  5F110CC02 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110CC10 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD06 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD25 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE30 ,  5F110EE44 ,  5F110EE48 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG16 ,  5F110GG17 ,  5F110GG19 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ30 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK05 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK09 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK33 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL14 ,  5F110HM02 ,  5F110HM03 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN43 ,  5F110NN62 ,  5F110NN65 ,  5F110NN66 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110NN74 ,  5F110NN77 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ16
引用特許：
審査官引用 (7件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM