特許
J-GLOBAL ID：201803020656532870
マスクブランク、位相シフトマスクおよびこれらの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人 津国
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-037471
公開番号（公開出願番号）：特開2018-109780
出願日： 2018年03月02日
公開日（公表日）： 2018年07月12日
要約：
【課題】位相シフト膜を形成する材料にケイ素系材料を適用した場合でも、その位相シフト膜の面内や膜厚方向における組成や光学特性の均一性が高く、複数の基板間における位相シフト膜の組成や光学特性の均一性も高く、さらに低欠陥であるマスクブランクを提供する。【解決手段】透光性基板1上に、ArF露光光を所定の透過率で透過し、かつ透過するArF露光光に対して所定量の位相シフトを生じさせる機能を有する位相シフト膜2が設けられたマスクブランクであって、位相シフト膜は、低透過層21および高透過層22が積層した構造を含み、低透過層および高透過層は、ケイ素および窒素からなる材料、または当該材料に半金属元素、非金属元素および希ガスから選ばれる1以上の元素を含有する材料で形成され、低透過層は、高透過層に比べて窒素含有量が相対的に少ない。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
透光性基板上に、ArF露光光を所定の透過率で透過し、かつ透過するArF露光光に対して所定量の位相シフトを生じさせる機能を有する位相シフト膜が設けられたマスクブランクであって、
前記位相シフト膜は、低透過層および高透過層が積層した構造を含み、
前記低透過層および前記高透過層は、ケイ素および窒素からなる材料、または当該材料に半金属元素、非金属元素および希ガスから選ばれる1以上の元素を含有する材料で形成され、
前記低透過層は、前記高透過層に比べて窒素含有量が相対的に少ないことを特徴とするマスクブランク。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (13件)：
2H195BA06
, 2H195BB03
, 2H195BB06
, 2H195BB14
, 2H195BB16
, 2H195BB25
, 2H195BC05
, 2H195BC08
, 2H195BC11
, 2H195BC24
, 2H197CA08
, 2H197HA03
, 2H197JA22
