特許
J-GLOBAL ID：200903053362790680
リソグラフィーマスクの製造方法、リソグラフィーマスクブランク、並びにリソグラフィーマスク
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤村 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-128056
公開番号（公開出願番号）：特開2003-322951
出願日： 2002年04月30日
公開日（公表日）： 2003年11月14日
要約：
【要約】【課題】 ドライエッチングにおける終点検出を、光学特性の検出とは異なる方法により行うことで、ドライエッチングにおける終点検出精度を向上させるリソグラフィーマスクの製造方法等を提供する。【解決手段】 基板上に形成された一層又は二層以上の多層からなる薄膜をドライエッチングにより所望の形状に加工して微細パターンを形成する工程を含むリソグラフィーマスクの製造方法において、前記薄膜のうち少なくとも一層は、その直下の他の層又は基板に含まれない固有元素を含み、前記パターンを形成する工程は、前記ドライエッチングにおいて、前記固有元素を検知する方法によって、前記固有元素を含む層のドライエッチングの終点を検出する工程を含むことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
基板上に形成された一層又は二層以上の多層からなる薄膜をドライエッチングにより所望の形状に加工して微細パターンを形成する工程を含むリソグラフィーマスクの製造方法において、前記薄膜のうち少なくとも一層は、その直下の他の層又は基板あるいはその直上の他の層に含まれない固有元素を含み、前記パターンを形成する工程は、前記ドライエッチングにおいて、前記固有元素を検知する方法によって、前記固有元素を含む層あるいは前記固有元素を含む層の直上の他の層のドライエッチングの終点を検出する工程を含むことを特徴とするリソグラフィーマスクの製造方法。
IPC (3件)：
G03F 1/08
, G03F 1/14
, H01L 21/027
G03F 1/08 A
, G03F 1/14 B
, H01L 21/30 502 P
2H095BA01
, 2H095BA07
, 2H095BB03
, 2H095BB14
, 2H095BC11
, 2H095BC27
