特許

J-GLOBAL ID：201803020707006621

パッシブオンガラス(POG)デバイスおよび方法

発明者： ジェ-シュン・ジェフリー・ラン ,  ニランジャン・スニル・ムダカッテ ,  チャンハン・ホビー・ユン ,  デイク・ダニエル・キム ,  チェンジエ・ズオ ,  デイヴィッド・フランシス・バーディ ,  マリオ・フランシスコ・ヴェレス ,  ジョンヘ・キム
出願人/特許権者： クアルコム,インコーポレイテッド
代理人 (2件)： 村山 靖彦 ,  黒田 晋平
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-513011
公開番号（公開出願番号）：特表2018-534763
出願日： 2016年07月29日
公開日（公表日）： 2018年11月22日
要約：

デバイスは、ガラス基板とキャパシタとを含む。キャパシタは、第1の電極に結合された第1の金属と、誘電体構造と、キャパシタの第2の電極を備えるビア構造とを含む。第1の金属構造は、誘電体構造によってビア構造から分離される。

請求項（抜粋）：

ガラス基板と、 前記ガラス基板に結合されたキャパシタとを備え、前記キャパシタが、 第1の電極に対応する第1の金属構造と、 誘電体構造と、 第2の電極を備えるビア構造とを備え、前記第1の金属構造が前記誘電体構造によって前記ビア構造から分離される、デバイス。

IPC (9件)：

H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/320 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522 ,  H01G 4/33 ,  H01G 4/10 ,  H01G 4/008 ,  H01L 27/01

FI (7件)：

H01L27/04 C ,  H01L21/88 Z ,  H01G4/33 102 ,  H01G4/10 ,  H01G4/008 ,  H01L27/04 L ,  H01L27/01 311

Fターム (38件)：

5E082AA15 ,  5E082AB01 ,  5E082DD08 ,  5E082EE05 ,  5E082EE26 ,  5E082EE37 ,  5E082FF05 ,  5E082FG03 ,  5E082FG27 ,  5E082FG42 ,  5E082PP09 ,  5F033GG03 ,  5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ09 ,  5F033JJ11 ,  5F033KK08 ,  5F033KK09 ,  5F033KK11 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033VV08 ,  5F033VV10 ,  5F033XX33 ,  5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038AZ04 ,  5F038BE07 ,  5F038DF04 ,  5F038DF05 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ20

引用特許：

審査官引用 (8件)

• 薄膜コンデンサ及びその製造方法並びに電子部品
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-022416   出願人：TDK株式会社
• 特開昭62-118560
  
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-221356   出願人：ソニー株式会社
• 特開昭62-118560
  
• 電子部品
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-333108   出願人：TDK株式会社
• 誘電体膜及びその製造方法、並びにキャパシタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-144157   出願人：エルピーダメモリ株式会社
• 薄膜コンデンサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-189464   出願人：株式会社日立製作所
• 電子部品製造方法および電子部品
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-340121   出願人：富士通株式会社