特許
J-GLOBAL ID：201803021030841800
紫外線発光素子及び発光素子パッケージ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (14件)：
小野 誠
, 金山 賢教
, 重森 一輝
, 安藤 健司
, 市川 英彦
, 青木 孝博
, 櫻田 芳恵
, 川嵜 洋祐
, 五味渕 琢也
, 今藤 敏和
, 飯野 陽一
, 市川 祐輔
, 森山 正浩
, 岩瀬 吉和
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-523450
公開番号（公開出願番号）：特表2018-534781
出願日： 2016年11月09日
公開日（公表日）： 2018年11月22日
要約：
実施例は、紫外線発光素子、紫外線発光素子の製造方法、発光素子パッケージ及び照明装置に関する。実施例による紫外線発光素子は、光抽出構造を有する第1導電型第1半導体層と、前記第1導電型第1半導体層上にエッチング遮断層と、前記エッチング遮断層上に第1導電型第2半導体層と、前記第1導電型第2半導体層上に活性層と、前記活性層上に第2導電型半導体層、及び前記エッチング遮断層と前記活性層との間に配置された電流広がり層を含み、前記電流広がり層は、第1導電型またはアンドープAlGaN系またはGaN系の半導体層、アンドープAlN及び第1導電型AlGaN系の第2半導体層を含み、第1導電型またはアンドープAlGaN系またはGaN系の半導体層とアンドープAlNの格子定数の差によるピエゾエレクトリック(piezo-electric)による内部場(internal field)を発生させることによって、前記1導電型またはアンドープAlGaN系またはGaN系の半導体層とアンドープAlNとの界面で電子の拡散を誘導することで、電流広がり(electron spreading)を改善することができる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
光抽出構造を有する第1導電型第1半導体層;
前記第1導電型第1半導体層上にエッチング遮断層;
前記エッチング遮断層上に第1導電型第2半導体層;
前記第1導電型第2半導体層上に活性層;
前記活性層上に第2導電型半導体層;及び
前記エッチング遮断層と前記活性層との間に配置された電流広がり層を含み、
前記電流広がり層は、アンドープAlN及び第1導電型AlGaN系の第2半導体層を含む紫外線発光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (19件)：
5F241AA23
, 5F241AA25
, 5F241AA41
, 5F241CA04
, 5F241CA05
, 5F241CA40
, 5F241CA60
, 5F241CA64
, 5F241CA65
, 5F241CA66
, 5F241CA74
, 5F241CA85
, 5F241CA86
, 5F241CA87
, 5F241CA88
, 5F241CA92
, 5F241CA93
, 5F241CB02
, 5F241CB15
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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