文献

J-GLOBAL ID：201902212872654075   整理番号：19A0185587

Ge薄膜のFLA結晶化におけるキャップ層の効果(II)

Effects of SiO_x Capping Film on Crystallization of Ge Film for Flash Lamp Annealing (II)

著者 (4件)： 秋田佳輝 (兵庫県大) ,  松尾直人 (兵庫県大) ,  小濱和之 (大阪大) ,  伊藤和博 (大阪大)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 118  号： 379(EID2018 4-7)  ページ： 17-20  発行年： 2018年12月18日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本研究では,Ge膜のFLA結晶化時にSiO_xキャップ膜が及ぼす影響を調査した。FLA結晶化におけるpoly-Ge膜の結晶性は液相結晶化(LPC),固相結晶化(SPC)条件下でそれぞれ異なった。SPC条件下のGe膜(60nm)では,結晶化率はキャップ層により増加したが,LPC条件下のGe膜(15,30,60nm)では減少した。SEM像により直径約10nmの微細粒が確認できた。さらにLPC条件下では,膜厚が増加するにつれてμc-Geが減少することがラマンスペクトルにより確認された。X線回折を行ったところ,膜厚増加に伴い(111),(220),(311)面の粒成長が顕著であった。LPC条件下のGe結晶化において,μc-Geが核として生成されたと考えられえる。(著者抄録)

シソーラス用語： ゲルマニウム ,  半導体薄膜 ,  *RTA【熱処理】 ,  *結晶化 ,  保護膜
準シソーラス用語： キャップ層 ,  *フラッシュランプアニール

分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

引用文献 (7件)：

• S.M. Sze “Semiconductor Devices: Physics and Technology,” Physics and Technology Wiley, New York, p. 513, 1985.
• K. Ohdaira, T. Fujiwara, Y. Endo, S. Nishizaki, H. Matsumura, “Explosive crystallization of amorphous silicon films by flash lamp annealing,” J. Appl. Phys. 106 (2009) 044907.
• H.Habuka, A.Hara, T.Karasawa, M.Yoshoioka, “Heat Transport Analysis for Flash Lamp Annealing,” Jpn. J. Appl. Phys. 46, 937 (2007)
• M.Hatano, M.Tai, T.Shiba, “レーザアニールによるSi薄膜溶融, 結晶化 過程の実時間観測と結晶の高品質化,” 表面科学 Vol.24, No.6, pp.375-382, 2003.
• T.Sadoh, Y.Kai, R.Matsumura, K.Moto, M.Miyao, “High carrier mobility of Sn-doped polycrystalline-Ge films on insulators by thicknessdependent low-temperature solid-phase crystallization,” Appl. Phys. Lett. 109, 232106 (2016)

タイトルに関連する用語 (4件)： Ge ,  薄膜 ,  結晶化 ,  キャップ層