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J-GLOBAL ID：201902233236389061   整理番号：19A1249364

1H,1H,2H,2H-ペルフルオロデシルトリエトキシシラン障壁層を用いた電気二重層トランジスタの安定性の改善

Improvement of the stability of an electric double-layer transistor using a 1H,1H,2H,2H-perfluorodecyltriethoxysilane barrier layer

著者 (9件)： LIU Yang (Nara Inst. of Sci. and Technol., Nara, JPN) ,  FUJII Mami N (Nara Inst. of Sci. and Technol., Nara, JPN) ,  ISHIDA Shoma (Nara Coll., Nara, JPN) ,  ISHIKAWA Yasuaki (Nara Inst. of Sci. and Technol., Nara, JPN) ,  MIWA Kazumoto (Central Res. Inst. of Electric Power Ind., Kanagawa, JPN) ,  ONO Shimpei (Central Res. Inst. of Electric Power Ind., Kanagawa, JPN) ,  BERMUNDO Juan Paolo Soria (Nara Inst. of Sci. and Technol., Nara, JPN) ,  FUJITA Naoyuki (Nara Coll., Nara, JPN) ,  URAOKA Yukiharu (Nara Inst. of Sci. and Technol., Nara, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 58  号： 4  ページ： 040907.1-040907.4  発行年： 2019年04月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電気二重層トランジスタ(EDLT)は,超高キャリア密度と非常に低い動作電圧を達成することができる。しかし,化学反応は半導体-絶縁体界面における構造変化を引き起こし,不安定な素子動作をもたらし,素子寿命を減少させる。本研究では,半導体層とイオン液体絶縁体の間の障壁として作用する1H,1H,2H,2H-ペルフルオロデシルトリエトキシシラン(FDTS)層を堆積する方法を提案する。著者らの研究は,FDTS膜の添加の効果が,化学反応の分離と非晶質InGaZnOチャネルへの損傷の減少であることを示し,そして,デバイス寿命と安定性の増加の効果を達成した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *トランジスタ ,  *有機フッ素化合物 ,  キャリア密度 ,  電圧 ,  化学反応 ,  界面 ,  変化 ,  安定性 ,  特性 ,  寿命 ,  イオン液体 ,  絶縁体 ,  障壁 ,  *ガリウム化合物 ,  *亜鉛化合物 ,  *酸化インジウム
準シソーラス用語： *電気二重層トランジスタ ,  *ペルフルオロ化合物 ,  動作電圧 ,  半導体-絶縁体界面 ,  構造変化 ,  動作特性 ,  *IGZO【半導体】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  その他の半導体を含む系の接触  (BM03086O)

物質索引 (1件)： デシルトリエトキシシラン

引用文献 (23件)：

• C. D. Dimitrakopoulos, S. Purushothaman, J. Kymissis, A. Callegari, and J. M. Shaw, Science 283, 822 (1999).
• S. Ono, S. Seki, R. Hirahara, Y. Tominari, and J. Takeya, Appl. Phys. Lett. 92, 93 (2009).
• J. T. Ye, S. Inoue, K. Kobayashi, Y. Kasahara, H. T. Yuan, H. Shimotani, and Y. Iwasa, Nat. Mater. 9, 125 (2010).
• J. H. Cho, J. Lee, Y. Xia, B. Kim, Y. He, M. J. Renn, T. P. Lodge, and C. D. Frisbie, Nat. Mater. 7, 900 (2008).
• H. Yuan, H. Shimotani, A. Tsukazaki, A. Ohtomo, M. Kawasaki, and Y. Iwasa, Adv. Funct. Mater. 19, 1046 (2009).

タイトルに関連する用語 (3件)： 障壁層 ,  電気二重層トランジスタ ,  安定性