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J-GLOBAL ID：201902248004643771   整理番号：19A0619307

新技術・新商品へのチャレンジ 新材料・新製品開発のための先端解析技術

著者 (19件)： 佐々木宏和 (古河電気工業) ,  西久保英郎 (古河電気工業) ,  西田真輔 (古河電気工業) ,  山崎悟志 (古河電気工業) ,  中崎竜介 (古河電気工業) ,  磯松岳己 (古河電気工業) ,  湊龍一郎 (古河ファイテルオプティカルデバイス) ,  衣川耕平 (古河ファイテルオプティカルデバイス) ,  今村明博 (古河ファイテルオプティカルデバイス) ,  大友晋哉 (古河電気工業) ,  堀祐臣 (古河電気工業) ,  廣瀬清慈 (古河電気工業) ,  穴田智史 (ファインセラミックスセ) ,  山本和生 (ファインセラミックスセ) ,  平山司 (ファインセラミックスセ) ,  山崎順 (大阪大) ,  柴田直哉 (東大) ,  大場洋次郎 (日本原子力研究開発機構) ,  大沼正人 (北大)
資料名： 古河電工時報(Web)
号： 138  ページ： 2-10 (WEB ONLY)  発行年： 2019年02月 
JST資料番号： U0003A  ISSN： 1348-1789  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 電子顕微鏡,放射光,表面分析の先端解析技術を様々な新材料・デバイスに活用した事例を紹介する。光通信用半導体レーザの解析に,電子線ホログラフィ,DPC-STEMの電子顕微鏡技術を活用した。気泡エナメル巻線の解析には,FIB-SEMによる3次元解析法を活用した。超電導線材と銅合金の解析には,SPring-8においてSAXS法を用いた。AuSnはんだの解析には,HAXPESの表面分析手法を活用した。(著者抄録)

シソーラス用語： *製品開発 ,  開発 ,  材料 ,  先端技術 ,  解析 ,  事例研究 ,  表面分析 ,  X線光電子分光法 ,  小角X線散乱 ,  三次元 ,  走査電子顕微鏡 ,  ホログラフィー ,  透過型走査電子顕微鏡 ,  *研究開発
準シソーラス用語： 材料開発

分類 (2件)： マーケティング  (KA06020W) ,  研究開発  (AA03000V)

引用文献 (22件)：

• M. R. McCartney,D. J. Smith,R. Hull,J. C. Bean,E. Voelkl and B. Frost: “Direct observation of potential distribution across Si/Si p-n junctions using off-axis electron holography”, Appl.Phys. Lett.,65(1994),2603.
• W. D. Rau,P. Schwander,F. H. Baumann,W. Höppner,and A. Ourmazd: “Two-Dimensional Mapping of the Electrostatic Potential in Transistors by Electron Holography”,Phys. Rev. Lett.,82(1999),2614.
• Z. Wang,T. Hirayama,K. Sasaki,H. Saka and N. Kato: “Electron holographic characterization of electrostatic potential distributions in a transistor sample fabricated by focused ion beam”,Appl. Phys. Lett.,80(2002) ,246.
• H. Sasaki,K. Yamamoto,T. Hirayama,S. Ootomo,T. Matsuda,F. Iwase,R. Nakasaki and T. Ishii: “Mapping of dopant concentration in a GaAs semiconductor by off axis phaseshifting electron holography”,Appl. Phys. Lett.,89 (2006),244101.
• 佐々木宏和,大友晋哉,湊龍一郎,吉田順自: “電子線ホログラフィとローレンツ顕微鏡を用いた半導体レーザの解析”,古河電工時報,134(2015),33.

タイトルに関連する用語 (4件)： 商品 ,  新材料 ,  新製品開発 ,  解析