共焦点ラマン顕微鏡による熱酸化で発生したSiO<sub>2</sub>/4H-SiC界面での応力の研究

FU Wei; KOBAYASHI Ai; YANO Hiroshi; UEDA Akiko; HARADA Shinsuke; SAKURAI Takeaki

文献

J-GLOBAL ID：201902254001811220 整理番号：19A1328647

共焦点ラマン顕微鏡による熱酸化で発生したSiO₂/4H-SiC界面での応力の研究

Investigation of stress at SiO₂/4H-SiC interface induced by thermal oxidation by confocal Raman microscopy

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巻： 58 号： SB ページ： SBBD03.1-SBBD03.5 発行年： 2019年04月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

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引用文献 (35件)：

H. Matsunami and T. Kimoto, Mater. Sci. Eng. R 20, 125 (1997).
B. J. Baliga, IEEE Electron Device Lett. 10, 455 (1989).
T. Kimoto and J. A. Cooper, Fundamentals of Silicon Carbide Technology: Growth, Characterization, Devices and Applications (Wiley, New York, 2014).
N. Saks and A. Agarwal, Appl. Phys. Lett. 77, 3281 (2000).
K. Shiraishi, K. Chokawa, H. Shirakawa, K. Endo, M. Araidai, K. Kamiya, and H. Watanabe, 2014 IEEE Int. Electron Devices Meeting (IEDM), 2014, p. 21.3.1.

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