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J-GLOBAL ID：201902264843830052   整理番号：19A1819190

MOS_2における0°および60°粒界の原子および電子構造【JST・京大機械翻訳】

The Atomic and Electronic Structure of 0° and 60° Grain Boundaries in MoS₂

著者 (11件)： Nakanishi Terunobu (Department of Chemistry, Nagoya University, Nagoya, Japan) ,  Yoshida Shoji (Research Center for Functional Materials, National Institute for Materials Science, Tsukuba, Japan) ,  Murase Kota (Research Center for Functional Materials, National Institute for Materials Science, Tsukuba, Japan) ,  Takeuchi Osamu (Research Center for Functional Materials, National Institute for Materials Science, Tsukuba, Japan) ,  Taniguchi Takashi (Faculty of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, Tsukuba, Japan) ,  Watanabe Kenji (Faculty of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, Tsukuba, Japan) ,  Shigekawa Hidemi (Research Center for Functional Materials, National Institute for Materials Science, Tsukuba, Japan) ,  Kobayashi Yu (Department of Physics, Tokyo Metropolitan University, Hachioji, Japan) ,  Miyata Yasumitsu (Department of Physics, Tokyo Metropolitan University, Hachioji, Japan) ,  Shinohara Hisanori (Department of Chemistry, Nagoya University, Nagoya, Japan) ,  Kitaura Ryo (Department of Chemistry, Nagoya University, Nagoya, Japan)
資料名： Frontiers in Physics (Web)  (Frontiers in Physics (Web))
巻： 7  ページ： 59  発行年： 2019年 
JST資料番号： U7092A  ISSN： 2296-424X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二つの異なる結晶粒間の相対角度が0と60度の単層MoS_2における結晶粒界の原子と電子構造を調べた。グラファイトと六方晶窒化ホウ素フレーク上の化学蒸着(CVD)成長により,特定の相対角度を持つ結晶粒界が形成された。MoS_2とフレークの間のvan der Waals層間相互作用は,MoS_2の2つの異なる結晶粒の間の相対角度を制限する。走査型トンネル顕微鏡(STM)と分光測定を通して,0度の結晶粒界の場合に,MoS_2の2つの異なる結晶粒間の完全に縫合された構造が実現されることを見出した。完全に縫合された構造でさえ,価電子帯最大(VBM)と伝導帯極小(CBM)は顕著な青方偏移を示し,これはおそらく境界における格子歪から生じることを見出した。Copyright 2019 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： グラファイト ,  化学蒸着 ,  青方偏移 ,  *結晶粒界 ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  結晶粒 ,  単一層 ,  価電子バンド ,  フレーク ,  伝導バンド ,  格子歪 ,  *電子構造
準シソーラス用語： 層間相互作用 ,  六方晶窒化ホウ素 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 粒界 ,  遷移金属ジハロゲン化物 ,  走査型トンネル顕微鏡法 ,  境界状態 ,  化学蒸着(CVD)

分類 (1件)： 医用画像処理  (JE04020T)

引用文献 (47件)：

• Joensen P, Frindt RF, Morrison SR. Single-layer MoS2. Mater Res Bull. (1986) 21:457-61.
• Radisavljevic B, Radenovic A, Brivio J, Giacometti V, Kis A. Single-layer MoS2 transistors. Nat Nanotechnol. (2011) 6:147-50. doi: 10.1038/nnano.2010.279
• Mak KF, Lee C, Hone J, Shan J, Heinz TF. Atomically thin MoS2: a new direct-gap semiconductor. Phys Rev Lett. (2010) 105:136805. doi: 10.1103/PhysRevLett.105.136805
• Liu GB, Xiao D, Yao YG, Xu XD, Yao W. Electronic structures and theoretical modelling of two-dimensional group-VIB transition metal dichalcogenides. Chem Soc Rev. (2015) 44:2643-63. doi: 10.1039/C4CS00301B
• Pu J, Takenobu T. Monolayer transition metal dichalcogenides as light sources. Adv Mater. (2018) 30:1707627. doi: 10.1002/adma.201707627

タイトルに関連する用語 (3件)： 粒界 ,  原子 ,  電子構造