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J-GLOBAL ID:201902272063669026   整理番号:19A0185583

プラスチック基板上のダブルゲートCu-MIC多結晶ゲルマニウム薄膜トランジスタ

Double Gate Cu-MIC Poly-Ge TFT on Plastic Substrate
著者 (5件):
資料名:
巻: 118  号: 379(EID2018 4-7)  ページ: 1-4  発行年: 2018年12月18日 
JST資料番号: S0532B  ISSN: 0913-5685  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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塗布型ポリイミド(PI)上に銅(Cu)を利用した金属誘起結晶化(MIC)を用いて,ダブルゲート(DG)構造の多結晶ゲルマニウム(poly-Ge)薄膜トランジスタ(TFT)を形成した。作製したTFTは,ソース・ドレイン(SD)領域を金属化することによって寄生抵抗を低減したアルミニウム(Al)元素置換横方向金属化SD(Al-LM-SD)技術を採用している。On/off比は1.5×103,移動度18cm2/Vsを実現している。(著者抄録)
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分類 (1件):
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トランジスタ 
引用文献 (9件):

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