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J-GLOBAL ID：201902272063669026   整理番号：19A0185583

プラスチック基板上のダブルゲートCu-MIC多結晶ゲルマニウム薄膜トランジスタ

Double Gate Cu-MIC Poly-Ge TFT on Plastic Substrate

著者 (5件)： 内海大樹 (東北学院大) ,  北原邦紀 (島根大 教育) ,  塚田真也 (島根大 教育) ,  鈴木仁志 (東北学院大) ,  原明人 (東北学院大)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 118  号： 379(EID2018 4-7)  ページ： 1-4  発行年： 2018年12月18日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 塗布型ポリイミド(PI)上に銅(Cu)を利用した金属誘起結晶化(MIC)を用いて,ダブルゲート(DG)構造の多結晶ゲルマニウム(poly-Ge)薄膜トランジスタ(TFT)を形成した。作製したTFTは,ソース・ドレイン(SD)領域を金属化することによって寄生抵抗を低減したアルミニウム(Al)元素置換横方向金属化SD(Al-LM-SD)技術を採用している。On/off比は1.5×10³,移動度18cm²/Vsを実現している。(著者抄録)

シソーラス用語： 多結晶 ,  ゲルマニウム ,  基板 ,  *フレキシブル基板 ,  *薄膜トランジスタ ,  *結晶化 ,  素子構造 ,  特性 ,  *金属誘起結晶化 ,  高分子基板
準シソーラス用語： ダブルゲート ,  トランスファー特性 ,  プラスチック基板 ,  出力特性

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (9件)：

• A. G. Fisher, D. J. Tizabi, and H. Blanke, “p-Type Thin-Film Transistors with Vacuum-Deposited Crystallized Copper-Doped Germanium Films,” IEEE Electron Devices Lett. EDL-4, 447 (1983).
• J. Doutreloigne, J. De Baets, I. De Rycke, H. De Smet, A. Van Calster, J. Vanfleteren, “The influence of low copper doping concentrations on the recrystallization process in and the electrical properties of germanium in Ge:Cu thin film transistors,” Thin Solid Films 189, 235 (1990).
• D. Shahrjerdi, B. Hekmatshoar, S. S. Mohajerzadeh, A. Khakifirooz, M. Robertson, “High Mobility Poly-Ge Thin-Film Transistors Fabricated on Flexible Plastic Substrates at Temperatures below 130°C,” J. Electronic Materials 33, 353 (2004).
• B. Hekmatshoar, S. Mohajerzadeh, and D. Shahrjerdi, and M. D. Robertson, “Thin-film tunneling transistors on flexible plastic substrates based on stress-assisted lateral growth of polycrystalline germanium,” Appl. Phys. Lett. 85, 1054 (2004)
• T. Sadoh, M. Kurosawa, T. Hagihara, K. Toko, and M. Miyao, “Low-Temperature (~250°C) Cu-Induced Lateral Crystallization of Amorphous Ge on Insulator,” Electrochem. Solid-State Lett. 14, H274 (2011).

タイトルに関連する用語 (7件)： プラスチック基板 ,  ダブルゲート ,  Cu ,  MIC ,  多結晶 ,  ゲルマニウム ,  薄膜トランジスタ