特許
J-GLOBAL ID：201903011307888933

スイッチング素子及び熱電変換素子

発明者：
久保 若奈

久保 若奈 について

, 
近藤 柾樹

近藤 柾樹 について


出願人/特許権者：
国立大学法人東京農工大学

国立大学法人東京農工大学 について


代理人 (3件)： 棚井 澄雄 ,  鈴木 史朗 ,  宮本 龍
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2019-079531
公開番号（公開出願番号）：特開2019-192910
出願日： 2019年04月18日
公開日（公表日）： 2019年10月31日
要約：
【課題】メタマテリアル完全吸収構造に生成する局所熱を利用するスイッチング素子を提供することである。【解決手段】本発明のスイッチング素子100は、導電性微小構造体1と、金属薄膜2と、それらに挟まれた熱相転移材料層3とからなるメタマテリアル完全吸収構造10を備えている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
導電性微小構造体と、金属薄膜と、それらに挟まれた熱相転移材料層とからなる完全吸収メタマテリアル構造を備えたスイッチング素子。
IPC (8件)：
H01L 35/32 ,  H01L 29/06 ,  B82Y 30/00 ,  H01L 35/34 ,  H01L 35/14 ,  H01L 35/24 ,  H01L 37/02 ,  H01L 29/66
FI (8件)：
H01L35/32 A ,  H01L29/06 601N ,  B82Y30/00 ,  H01L35/34 ,  H01L35/14 ,  H01L35/24 ,  H01L37/02 ,  H01L29/66 C
引用特許：
審査官引用 (7件)
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