特許
J-GLOBAL ID：201903014367406872

半導体装置

発明者：
中山 達峰

中山 達峰 について

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宮本 広信

宮本 広信 について

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岡本 康宏

岡本 康宏 について

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三浦 喜直

三浦 喜直 について

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井上 隆

井上 隆 について


出願人/特許権者：
ルネサスエレクトロニクス株式会社

ルネサスエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-259064
公開番号（公開出願番号）：特開2015-115582
特許番号：特許第6534791号
出願日： 2013年12月16日
公開日（公表日）： 2015年06月22日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板の上方に形成された第1窒化物半導体層と、 前記第1窒化物半導体層上に形成された第2窒化物半導体層と、 前記第2窒化物半導体層上に形成された第3窒化物半導体層と、 前記第3窒化物半導体層上に形成された第4窒化物半導体層と、 前記第4窒化物半導体層を貫通し、前記第3窒化物半導体層の途中まで到達する溝と、 前記溝内にゲート絶縁膜を介して配置されたゲート電極と、 前記ゲート電極の両側の前記第4窒化物半導体層の上方にそれぞれ形成された第1電極および第2電極と、 前記第1電極と第1窒化物半導体層との間を接続する接続部と、 を有し、 前記第3窒化物半導体層の電子親和力は、前記第2窒化物半導体層の電子親和力より大きく、 前記第4窒化物半導体層の電子親和力は、前記第2窒化物半導体層の電子親和力より小さく、 前記第1窒化物半導体層は、p型の不純物を含有し、活性化した前記p型の不純物濃度は、5×1016cm-3以上で、かつ、1×1017cm-3未満である、半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/338 ( 200 6.01) ,  H01L 29/778 ( 200 6.01) ,  H01L 29/812 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01)
FI (2件)：
H01L 29/80 H ,  H01L 29/78 301 B
引用特許：
審査官引用 (9件)
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