NTCセラミック、突入電流制限用の電子デバイスおよび電子デバイスを製造するための方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人ナガトアンドパートナーズ
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-531539
公開番号（公開出願番号）：特表2019-504491
出願日： 2016年12月13日
公開日（公表日）： 2019年02月14日
要約：

本発明は、突入電流制限用の電子デバイス(10)に使用されるNTCセラミックに関し、このNTCセラミックは、25°Cの温度および/または室温でmΩ領域の電気抵抗を有する。さらに本発明は電子デバイス(10),電子デバイス(10)を製造するための方法,および少なくとも1つの電子デバイス(10)を有するシステム(200)に関する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

突入電流制限用の電子デバイス(10)に使用されるNTCセラミックであって、前記NTCセラミックは、25°Cの温度および/または室温でmΩ領域の電気抵抗を有する、ことを特徴とするNTCセラミック。

IPC (2件)：

H01C 7/04 , H01C 17/00

FI (2件)：

H01C7/04 , H01C17/00 100

Fターム (11件)：

5E032BB10 , 5E032CA01 , 5E032CC05 , 5E032CC06 , 5E034BA10 , 5E034BC01 , 5E034DA07 , 5E034DE02 , 5E034DE05 , 5E034DE08 , 5E034FA01

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体セラミック素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-177812 出願人：株式会社村田製作所
感温抵抗材料とその製造方法及び感温抵抗材料を用いた赤外線センサ
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-182107 出願人：シャープ株式会社
ボロメータ用酸化物薄膜とその製造方法及び赤外線センサ
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-235128 出願人：日本電気株式会社

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引用文献：

審査官引用 (2件)

Transition-element doping effects in La0.7Ca0.3MnO3
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