特許
J-GLOBAL ID:201903017393352992
半導体検査装置及び半導体検査方法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (4件):
三好 秀和
, 高橋 俊一
, 伊藤 正和
, 高松 俊雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2018-028936
公開番号(公開出願番号):特開2019-144131
出願日: 2018年02月21日
公開日(公表日): 2019年08月29日
要約:
【課題】非破壊により、同一の検査用モジュールを継続してその場で即座に観察することができ、検査用モジュールでの欠陥の発生を正確に検査することが可能な半導体検査装置及び半導体検査方法を提供する。【解決手段】半導体検査装置1は、DBC基板24上に接合層26を介してパワー半導体22が接合された検査用モジュール20を発熱させるヒータ14及び電源装置34と、駆動時に、検査用モジュール20から発せられるAE波を検出するAEセンサ16と、を備え、検査用モジュール20での欠陥の発生を非破壊により検査できるようにする。【選択図】図1
請求項(抜粋):
実装基板上に接合部を介して半導体チップが接合された半導体装置を駆動する駆動手段と、
前記駆動手段による駆動時に、前記半導体装置から発せられるアコースティックエミッション波を検出する検出手段と、
を備え、
前記半導体装置での欠陥の発生を非破壊により検査することを特徴とする半導体検査装置。
IPC (2件):
FI (2件):
Fターム (13件):
2G003AA00
, 2G003AB00
, 2G003AC04
, 2G003AD03
, 2G003AD06
, 2G003AH10
, 2G047AA05
, 2G047AC10
, 2G047AD20
, 2G047BA05
, 2G047BC09
, 2G047CA01
, 2G047GG28
引用特許:
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