特許
J-GLOBAL ID：201903017996813293
シリコン基板上に成長される発光デバイス
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
伊東 忠重
, 伊東 忠彦
, 大貫 進介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-150949
公開番号（公開出願番号）：特開2019-004164
出願日： 2018年08月10日
公開日（公表日）： 2019年01月10日
要約：
【課題】改善された光取り出しを示す、シリコン基板上に成長される発光デバイスを提供する。【解決手段】シリコンを含む基板上に半導体構造体を成長させるステップを含む。半導体構造体は、基板に直接接触するアルミニウム含有層と、n型領域40とp型領域44との間に配置された発光領域42とを含む。更に、基板を除去するステップを含む。基板を除去した後、アルミニウム含有層に直接接触させて透明材料が形成される。透明材料はテクスチャ化される。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
発光デバイスであって、
半導体構造体であり、
n型領域とp型領域との間に配置されたIII族窒化物発光層と、
前記n型領域に隣接したAlGaN層と、該AlGaN層と直接接触したAlN層とを含み、前記半導体構造体の第1の表面を形成するアルミニウム含有層であり、前記n型領域内に圧縮応力を生成するようにされたアルミニウム含有層と、
を有する半導体構造体と、
前記半導体構造体の前記第1の表面とは反対側の前記半導体構造体の第2の表面で前記n型領域上に配置された金属nコンタクト、及び前記半導体構造体の前記第2の表面で前記p型領域上に配置された金属pコンタクトと、
前記AlN層の表面上に化学気相成長を用いて堆積された、シリコンの酸化物、シリコンの窒化物、シリコンの酸窒化物、又は、シリコンの酸化物とシリコンの窒化物とシリコンの酸窒化物とのうちの少なくとも1つの混合物、のうちの1つを有する光学的に透明な薄膜であり、前記AlN層と接触した表面とは反対側の当該光学的に透明な薄膜の表面が、粗面化、テクスチャ化又はパターン化のうちの1つをされている、光学的に透明な層と、
を有する発光デバイス。
IPC (3件)：
H01L 33/32
, H01L 33/22
, H01L 33/44
H01L33/32
, H01L33/22
, H01L33/44
5F241AA04
, 5F241CA04
, 5F241CA12
, 5F241CA22
, 5F241CA40
, 5F241CA74
, 5F241CA76
, 5F241CA77
, 5F241CB11
, 5F241CB36
