特許
J-GLOBAL ID：201903020775853631

半導体装置の作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-179687
公開番号（公開出願番号）：特開2019-004180
出願日： 2018年09月26日
公開日（公表日）： 2019年01月10日
要約：
【課題】酸化物半導体を用いるトランジスタにおいて、電気特性の良好なトランジスタ及びその作製方法を提供する。【解決手段】基板上に第1の酸化絶縁膜を形成し、該第1の酸化絶縁膜上に第1の酸化物半導体膜を形成した後、加熱処理を行い、第1の酸化物半導体膜に含まれる水素を脱離させつつ、第1の酸化絶縁膜に含まれる酸素の一部を第1の酸化物半導体膜に拡散させ、水素濃度及び酸素欠陥を低減させた第2の酸化物半導体膜を形成する。次に、第2の酸化物半導体膜を選択的にエッチングして、第3の酸化物半導体膜を形成した後、第2の酸化絶縁膜を形成して、当該第2の酸化絶縁膜を選択的にエッチングして、第3の酸化物半導体膜の端部を覆う保護膜を形成する。この後、第3の酸化物半導体膜及び保護膜上に一対の電極、ゲート絶縁膜、及びゲート電極を形成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
酸化物半導体膜上に酸化絶縁膜を形成し、 前記酸化絶縁膜を選択的にエッチングすることで、前記酸化物半導体膜の端部を覆う保護膜を形成し、 前記酸化物半導体膜上及び前記保護膜上に一対の電極を形成し、 前記酸化物半導体膜上、前記保護膜上及び前記一対の電極上にゲート絶縁膜を形成し、 前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (8件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/108 ,  H01L 27/115 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/105 ,  H01L 27/11
FI (9件)：
H01L29/78 616T ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 619A ,  H01L27/108 321 ,  H01L27/108 661 ,  H01L27/108 671C ,  H01L27/1156 ,  H01L27/105 441 ,  H01L27/11
Fターム (103件)：
5F083AD02 ,  5F083AD69 ,  5F083BS01 ,  5F083BS10 ,  5F083BS13 ,  5F083BS22 ,  5F083BS27 ,  5F083GA01 ,  5F083GA03 ,  5F083GA05 ,  5F083GA06 ,  5F083HA02 ,  5F083HA10 ,  5F083JA19 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA42 ,  5F083JA56 ,  5F083JA60 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F110AA02 ,  5F110AA06 ,  5F110AA22 ,  5F110AA30 ,  5F110BB06 ,  5F110BB07 ,  5F110CC01 ,  5F110CC02 ,  5F110CC10 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD15 ,  5F110DD25 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF05 ,  5F110FF07 ,  5F110FF09 ,  5F110FF23 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG15 ,  5F110GG17 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ18 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HM05 ,  5F110HM14 ,  5F110HM17 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN40 ,  5F110NN78 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ16 ,  5F110QQ19
引用特許：
審査官引用 (7件)
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