特許
J-GLOBAL ID：200903070106204695

半導体装置及びその作製方法

発明者：
笹川 慎也

笹川 慎也 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-060846
公開番号（公開出願番号）：特開2008-270758
出願日： 2008年03月11日
公開日（公表日）： 2008年11月06日
要約：
【課題】ソース電極又はドレイン電極の膜厚のばらつき又は断線を防止した半導体装置を容易に作製する方法を提案する。【解決手段】絶縁基板上に形成された半導体層と、半導体層上に形成された第1の絶縁層と、第1の絶縁層上に形成されたゲート電極と、ゲート電極上に形成された第2の絶縁層と、を有し、少なくとも第1の絶縁層、及び第2の絶縁層に形成された半導体層に達する開口部と、前記開口部において前記第2の絶縁層の側面に形成された段差と、を有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上に形成された半導体層と、 前記半導体層上に形成された第1の絶縁層と、 前記第1の絶縁層上に形成されたゲート電極と、 前記ゲート電極上に形成された第2の絶縁層と、 少なくとも前記第1の絶縁層、及び前記第2の絶縁層に形成された前記半導体層に達する開口部と、 前記開口部において前記第2の絶縁層の側面に形成された段差と、 前記第2の絶縁層上に形成され、かつ前記開口部の側面を被覆し、半導体層に接する導電層と、を有する半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/768
FI (4件)：
H01L29/78 616K ,  H01L29/78 627C ,  H01L21/28 L ,  H01L21/90 C
Fターム (133件)：
4M104AA01 ,  4M104AA03 ,  4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB19 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB22 ,  4M104BB25 ,  4M104BB32 ,  4M104BB40 ,  4M104DD08 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD52 ,  4M104DD53 ,  4M104DD79 ,  4M104DD80 ,  4M104DD84 ,  4M104DD91 ,  4M104FF08 ,  4M104GG04 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH20 ,  5F033HH21 ,  5F033KK25 ,  5F033KK27 ,  5F033KK28 ,  5F033MM08 ,  5F033NN16 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ35 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ58 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ89 ,  5F033QQ91 ,  5F033RR01 ,  5F033RR03 ,  5F033RR04 ,  5F033RR05 ,  5F033RR06 ,  5F033RR07 ,  5F033RR08 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033RR27 ,  5F033SS08 ,  5F033SS11 ,  5F033TT02 ,  5F033TT08 ,  5F033VV15 ,  5F033VV16 ,  5F110AA16 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE31 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF22 ,  5F110FF25 ,  5F110FF26 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG22 ,  5F110GG24 ,  5F110GG32 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK05 ,  5F110HK40 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL11 ,  5F110HL14 ,  5F110HM15 ,  5F110NN02 ,  5F110NN22 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN62 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ17
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (9件)
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