特許
J-GLOBAL ID：202003000195082646

放射放出半導体デバイスおよび放射放出半導体デバイスの製造方法

発明者：
エンツマン ローラント ハインリヒ

エンツマン ローラント ハインリヒ について

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ハルブリッター フーベルト

ハルブリッター フーベルト について

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ベリンガー マルチン ルドルフ

ベリンガー マルチン ルドルフ について


出願人/特許権者：
オスラム オーエルイーディー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング

オスラム オーエルイーディー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング について


代理人 (1件)： 特許業務法人鷲田国際特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2020-515028
公開番号（公開出願番号）：特表2020-535634
出願日： 2018年09月20日
公開日（公表日）： 2020年12月03日
要約：
放射放出半導体デバイス(1)であって、放射を生成する目的で設けられている活性領域(20)を有する半導体ボディ(2)と、半導体ボディが上に配置されているキャリア(3)と、光学素子(4)と、を備えており、光学素子が直接接合結合部によって半導体ボディに取り付けられている、放出半導体デバイス、を開示する。さらに、放射放出半導体デバイスを製造する方法を開示する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
放射放出半導体デバイス(1)であって、 - 放射を生成する目的で設けられている活性領域(20)を有する半導体ボディ(2)と、 - 前記半導体ボディが上に配置されているキャリア(3)と、 - 光学素子(4)と、 を備えており、 前記光学素子が直接接合結合部によって前記半導体ボディに取り付けられている、 放射放出半導体デバイス。
IPC (2件)：
H01S 5/026 ,  H01S 5/183
FI (2件)：
H01S5/026 610 ,  H01S5/183
Fターム (5件)：
5F173AC03 ,  5F173AC13 ,  5F173AD20 ,  5F173AQ03 ,  5F173AR52
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (5件)
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