特許
J-GLOBAL ID：202003000637349051
磁気センサおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
特許業務法人ゆうあい特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2019-058662
公開番号（公開出願番号）：特開2020-161604
出願日： 2019年03月26日
公開日（公表日）： 2020年10月01日
要約：
【課題】検出感度を向上できる磁気センサを提供する。【解決手段】磁化方向が固定されている磁化固定層60と、外部磁場によって磁化方向が変化する磁場検出層80と、磁化固定層60と磁場検出層70との間に配置され、磁化固定層60の磁化方向と磁場検出層80の磁化方向との間の成す角度によって抵抗値が変化するトンネル層70と、磁化固定層60、トンネル層70、磁場検出層80が積層されて配置される基板10と、を備える。そして、基板10に、アモルファス層または微結晶層で構成され、基板10側と反対側の一面41が平坦面とされた平坦化層40を配置し、磁化固定層60、トンネル層70、磁場検出層80を平坦化層40上に積層して配置する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
磁化固定層(60)と磁場検出層(80)との間にトンネル層(70)が配置された磁気センサであって、
磁化方向が固定されている前記磁化固定層と、
外部磁場によって磁化方向が変化する前記磁場検出層と、
前記磁化固定層と前記磁場検出層との間に配置され、前記磁化固定層の磁化方向と前記磁場検出層の磁化方向との間の成す角度によって抵抗値が変化する前記トンネル層と、
前記磁化固定層、前記トンネル層、前記磁場検出層が積層されて配置される基板(10)と、を備え、
前記基板上には、アモルファス層または微結晶層で構成され、前記基板側と反対側の一面(41)が平坦面とされた平坦化層(40)が配置されており、
前記磁化固定層、前記トンネル層、前記磁場検出層は、前記平坦化層上に積層されて配置されている磁気センサ。
IPC (4件)：
H01L 43/10
, H01L 43/08
, H01L 43/12
, G01R 33/09
H01L43/10
, H01L43/08 Z
, H01L43/12
, G01R33/09
2G017AA01
, 2G017AD55
, 2G017AD65
, 5F092AA01
, 5F092AB01
, 5F092AC12
, 5F092AD23
, 5F092BB10
, 5F092BB12
, 5F092BB17
, 5F092BB22
, 5F092BB23
, 5F092BB36
, 5F092BB43
, 5F092BB53
, 5F092BB55
, 5F092BC03
, 5F092BC04
, 5F092BC07
, 5F092BE04
, 5F092BE06
, 5F092CA19
, 5F092CA25
