特許
J-GLOBAL ID：202003001308515575

微細パターンを有する基板にシリコン膜を形成する方法

発明者：
田中 有紀

田中 有紀 について

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橋本 浩幸

橋本 浩幸 について

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中村 麻由子

中村 麻由子 について

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増田 貴史

増田 貴史 について

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高岸 秀行

高岸 秀行 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について

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国立大学法人北陸先端科学技術大学院大学

国立大学法人北陸先端科学技術大学院大学 について


代理人 (1件)： 特許業務法人酒井国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-194401
公開番号（公開出願番号）：特開2020-062580
出願日： 2018年10月15日
公開日（公表日）： 2020年04月23日
要約：
【課題】微細パターンを有する基板にパターン埋め込み性よくシリコン膜を形成できる技術を提供する。【解決手段】微細パターンを有する基板を、密着促進剤による表面処理に付す工程、表面処理に付した基板にシランポリマー溶液を塗布して塗布膜を形成する工程、及び塗布膜を加熱する工程を含む、微細パターンを有する基板にシリコン膜を形成する方法。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
微細パターンを有する基板を、密着促進剤による表面処理に付す工程、 表面処理に付した基板にシランポリマー溶液を塗布して塗布膜を形成する工程、及び 塗布膜を加熱する工程 を含む、微細パターンを有する基板にシリコン膜を形成する方法。
IPC (3件)：
B05D 7/24 ,  B05D 7/00 ,  H01L 21/208
FI (3件)：
B05D7/24 302Y ,  B05D7/00 Z ,  H01L21/208 Z
Fターム (24件)：
4D075BB21Z ,  4D075BB85X ,  4D075CA13 ,  4D075DA07 ,  4D075DB01 ,  4D075DB06 ,  4D075DB07 ,  4D075DB13 ,  4D075DB14 ,  4D075DC22 ,  4D075EA41 ,  4D075EB42 ,  4D075EB52 ,  4D075EC45 ,  5F053AA03 ,  5F053AA06 ,  5F053AA50 ,  5F053DD01 ,  5F053FF01 ,  5F053GG03 ,  5F053HH04 ,  5F053HH05 ,  5F053PP03 ,  5F053PP20
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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