モスアイ転写型及びモスアイ転写型の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (3件)：秋山敦 , 福士智恵子 , 角渕由英
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2019-201724
公開番号（公開出願番号）：特開2020-076996
出願日： 2019年11月06日
公開日（公表日）： 2020年05月21日
要約：

【課題】製造工程が簡易で安価なモスアイ転写型を提供する。【解決手段】基材10と、該基材10の上に形成された下地層20と、該下地層20の上に形成されたグラッシーカーボン層30と、を備え、該グラッシーカーボン層30は、反転されたモスアイ構造RMを表面に有し、前記グラッシーカーボン層30の表面の算術平均高さ(Sa)が10nm以上40nm以下であることを特徴とするモスアイ転写型1である。【選択図】図8

請求項（抜粋）：

基材と、該基材の上に形成された下地層と、該下地層の上に形成されたグラッシーカーボン層と、を備え、該グラッシーカーボン層は、反転されたモスアイ構造を表面に有し、前記グラッシーカーボン層の表面の算術平均高さ(Sa)が10nm以上40nm以下であることを特徴とするモスアイ転写型。

IPC (3件)：

G02B 1/118 , B29C 33/38 , B29C 59/02

FI (3件)：

G02B1/118 , B29C33/38 , B29C59/02 B

Fターム (29件)：

2K009AA01 , 2K009BB28 , 2K009CC24 , 2K009DD05 , 2K009DD15 , 4F202AF01 , 4F202AG05 , 4F202AH73 , 4F202AJ09 , 4F202AR12 , 4F202AR13 , 4F202CA19 , 4F202CA30 , 4F202CD23 , 4F202CD24 , 4F209AA44 , 4F209AF01 , 4F209AG03 , 4F209AG05 , 4F209AH33 , 4F209AH73 , 4F209AJ01 , 4F209AJ09 , 4F209PA02 , 4F209PB01 , 4F209PC06 , 4F209PC07 , 4F209PC08 , 4F209PQ11

引用特許：

審査官引用 (8件)

転写構造体の製造方法及びそれに用いる母型並びに微細構造体
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-048871 出願人：学校法人東京理科大学, 株式会社ハーベス
金属膜を有する構造体の製造方法、それに用いる母型及びそれにより製造される構造体
公報種別：公開公報出願番号：特願2014-040990 出願人：学校法人東京理科大学
磁気記録媒体
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-015367 出願人：花王株式会社

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