特許
J-GLOBAL ID：202003004099145560
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-128705
公開番号（公開出願番号）：特開2018-190992
特許番号：特許第6694015号
出願日： 2018年07月06日
公開日（公表日）： 2018年11月29日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 絶縁表面上に、第1の導電層と第2の導電層とを有し、
前記第1の導電層上及び前記第2の導電層上に第1の絶縁層とを有し、
前記第1の絶縁層上に、前記第1の導電層と重なる第1の酸化物半導体層と前記第2の導電層と重なる第2の酸化物半導体層とを有し、
前記第1の酸化物半導体層は、トランジスタのチャネルとなる領域を有し、
前記第1の酸化物半導体層上及び前記第2の酸化物半導体層上に、第2の絶縁層を有し、
前記第2の絶縁層上に、前記第1の導電層及び前記第1の酸化物半導体層と重なる第3の導電層とを有し、
前記第3の導電層は、平面視において、前記トランジスタのチャネル長方向及びチャネル幅方向それぞれにおいて、前記第1の酸化物半導体層よりも広く配置され、
前記第3の導電層は、前記トランジスタのチャネル長方向において、前記第1の導電層よりも広く配置され、
前記第1の酸化物半導体層と電気的に接続された第4の導電層とを有し、
前記第4の導電層は、前記第1の絶縁層に設けられた開口部を介して、前記第2の導電層と接続されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 29/786 ( 200 6.01)
, H01L 21/8234 ( 200 6.01)
, H01L 27/088 ( 200 6.01)
, H01L 21/8236 ( 200 6.01)
, H01L 51/50 ( 200 6.01)
, H05B 33/14 ( 200 6.01)
H01L 29/78 613 Z
, H01L 29/78 618 B
, H01L 29/78 617 N
, H01L 27/088 C
, H01L 27/088 311 A
, H01L 27/088 331 E
, H05B 33/14 A
, H05B 33/14 Z
出願人引用 (15件)
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審査官引用 (11件)
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