基板エッチング方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：杉谷勉 , 戸高弘幸 , 杉谷知彦 , 栗原要 , 青野信喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-133223
公開番号（公開出願番号）：特開2020-013815
出願日： 2018年07月13日
公開日（公表日）： 2020年01月23日
要約：

【課題】エッチングレートが高速で、かつ、高選択比を得ることができる。【解決手段】アモルファスカーボン膜をアノード電極17に接触させ、アノード電極17に対向する位置にカソード電極23を配置させ、アノード電極17とカソード電極23との間に過酸化水素水を含む電解液を供給して、アモルファスカーボン膜を電解液に浸漬させる。電圧を印加して所定時間にわたってアモルファスカーボン膜のエッチングを行う。電解液中に大量に発生したOH-イオンがアモルファスカーボン膜のカーボンと酸化反応することで、アモルファスカーボン膜中の金属が除去されて、アモルファスカーボン膜がエッチングされる。他の膜が酸化反応する材料を含まなければ、他の膜はほとんどエッチングされることがない。したがって、エッチングレートが高速で、かつ、高選択比を得ることができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

金属を含むアモルファスカーボン膜が被着された基板をエッチングする基板エッチング方法において、前記アモルファスカーボン膜をアノード電極に接触させる工程と、前記アノード電極に対向する位置にカソード電極を配置する工程と、前記アノード電極と前記カソード電極との間に過酸化水素水を含む電解液を供給して、前記アモルファスカーボン膜を前記電解液に浸漬させる工程と、前記アノード電極と前記カソード電極との間に電圧を印加して、所定時間にわたって前記アモルファスカーボン膜のエッチングを行う工程と、を備えていることを特徴とする基板エッチング方法。

IPC (1件)：

H01L 21/306

FI (1件)：

H01L21/306 L

Fターム (10件)：

5F043AA08 , 5F043BB12 , 5F043CC16 , 5F043DD07 , 5F043DD13 , 5F043DD14 , 5F043EE07 , 5F043EE14 , 5F043EE32 , 5F043GG10

引用特許：

出願人引用 (8件)

基板からカーボン材料を除去する方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2015-553764 出願人：ティーイーエルエフエスアイ,インコーポレイティド
基板処理装置および方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-014132 出願人：株式会社荏原製作所
半導体装置の製造方法及び製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-367288 出願人：株式会社東芝

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