基板からカーボン材料を除去する方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：伊東忠重 , 伊東忠彦 , 大貫進介
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-553764
公開番号（公開出願番号）：特表2016-507157
出願日： 2014年01月10日
公開日（公表日）： 2016年03月07日
要約：

炭素材料-好適にはアモルファスカーボン-を基板から除去する方法は、硫酸並びに/又はその乾燥種及び前駆体を含み、かつ、5:1を超えないモル濃度比の水/硫酸を有する液体硫酸組成物を、炭素材料がコーティングされた基板を実質的に均一にコーティングするのに有効な量だけ、材料がコーティングされた基板上に供する工程を有する。前記液体硫酸組成物は水蒸気に曝露される。前記水蒸気の量は、前記液体硫酸組成物の温度を前記水蒸気に曝露される前の温度よりも上昇させるのに有効な量である。好適実施例では、アモルファスカーボンが、シリコン酸化物(たとえば二酸化シリコン)及び/又はシリコン窒化物と比較して選択的に除去される。

請求項（抜粋）：

表面の少なくとも一部上にカーボン膜を有する半導体基板を処理チャンバ内に供する工程; 硫酸並びに/又はその乾燥種及び前駆体を含む、前記基板表面を実質的に均一にコーティングするのに有効な量の液体硫酸組成物を第1供給ラインから前記基板表面へ供給する工程; 前記基板表面上の前記液体硫酸組成物を水蒸気へ曝露する工程であって、前記水蒸気は、第2供給ラインから供給され、かつ、前記液体硫酸組成物の温度を、前記水蒸気へ曝露する前の前記液体硫酸組成物の温度よりも上昇させるのに有効な量であり、前記液体硫酸組成物は、前記水蒸気へ曝露される前は少なくとも130°Cであって220°C未満である、工程; を有する、半導体基板からカーボン材料を除去する方法であって、前記基板表面上の前記液体硫酸組成物は、前記表面から前記カーボン膜の少なくとも一部を除去するための期間、水蒸気に曝露される、方法。

IPC (3件)：

H01L 21/308 , H01L 21/306 , H01L 21/304

FI (4件)：

H01L21/308 A , H01L21/306 J , H01L21/304 647Z , H01L21/304 643A

Fターム (64件)：

5F043AA40 , 5F043BB30 , 5F043DD07 , 5F043DD13 , 5F043DD15 , 5F043EE07 , 5F043EE08 , 5F043EE22 , 5F043EE23 , 5F043EE24 , 5F043EE25 , 5F157AA29 , 5F157AA30 , 5F157AA76 , 5F157AA91 , 5F157AB02 , 5F157AB03 , 5F157AB13 , 5F157AB33 , 5F157AB90 , 5F157AC01 , 5F157BB23 , 5F157BB24 , 5F157BB33 , 5F157BB35 , 5F157BB37 , 5F157BB66 , 5F157BC03 , 5F157BC12 , 5F157BC13 , 5F157BC53 , 5F157BC64 , 5F157BD05 , 5F157BD22 , 5F157BE23 , 5F157BE43 , 5F157BG03 , 5F157BG13 , 5F157BG23 , 5F157BG73 , 5F157BG76 , 5F157BG85 , 5F157BG86 , 5F157BH18 , 5F157BH21 , 5F157CA03 , 5F157CA04 , 5F157CA05 , 5F157CB03 , 5F157CB15 , 5F157CB32 , 5F157CC02 , 5F157CD32 , 5F157CD33 , 5F157CE32 , 5F157CE36 , 5F157CF34 , 5F157CF42 , 5F157CF72 , 5F157DB03 , 5F157DB18 , 5F157DC84 , 5F157DC85 , 5F157DC86

引用特許：

審査官引用 (28件)

支持体から物質を除去する方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2008-542435 出願人：エフエスアイインターナショナルインコーポレーテッド
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-170553 出願人：富士通株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-028827 出願人：NECエレクトロニクス株式会社

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