特許
J-GLOBAL ID：202003005057730515
成膜方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (9件)：
大森 純一
, 高橋 満
, 中村 哲平
, 折居 章
, 関根 正好
, 金子 彩子
, 金山 慎太郎
, 千葉 絢子
, 白鹿 智久
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-158649
公開番号（公開出願番号）：特開2018-026494
特許番号：特許第6745166号
出願日： 2016年08月12日
公開日（公表日）： 2018年02月15日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 底部と側壁とを有するトレンチまたは孔が設けられた基板の表面に、SiH4及びArの混合ガスを0.05Pa以上1.0Pa以下導入して、高周波により形成した第1のプラズマを発生させることにより、前記底部及び前記側壁にシリコンからなる膜及びリン、ヒ素、アンチモン、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウム、ゲルマニウムの少なくとも1つをドーパントとして含むシリコン膜の少なくともいずれかである第1の半導体膜を形成し、
前記基板の前記表面に、NF3を含むエッチングガスの第2のプラズマを発生させることにより、前記側壁に形成される前記第1の半導体膜を選択的に除去し、
前記基板の前記表面に、前記第1のプラズマを発生させることにより、前記底部及び前記側壁にシリコンを含む第2の半導体膜を形成する
成膜方法。
IPC (4件)：
H01L 21/205 ( 200 6.01)
, H01L 21/31 ( 200 6.01)
, H01L 21/3065 ( 200 6.01)
, H05H 1/46 ( 200 6.01)
H01L 21/205
, H01L 21/31 C
, H01L 21/302 104 C
, H05H 1/46 L
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (8件)
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