特許
J-GLOBAL ID：202003005934594431
成膜方法及び成膜装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
特許業務法人弥生特許事務所
, 井上 俊夫
, 三井田 友昭
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-207980
公開番号（公開出願番号）：特開2017-175106
特許番号：特許第6690496号
出願日： 2016年10月24日
公開日（公表日）： 2017年09月28日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 互いに種類が異なる第1の下地膜と第2の下地膜とが積層されると共に表面に露出して形成された段部を備える基板に対して、前記段部を被覆するシリコン窒化膜を成膜する成膜方法において、
前記基板に前記第1の下地膜及び前記第2の下地膜を窒化するための窒素を含む下地膜窒化用ガスを供給し且つ前記基板をプラズマに曝すことで前記段部の表面を窒化して形成される窒化膜か、あるいは前記基板に第1のシリコンの原料ガスを供給することで形成されるシリコン含有膜により構成され、前記第1の下地膜の表面と前記第2の下地膜の表面とで前記シリコン窒化膜の成長を揃えるためのシード層を、前記段部を被覆するように形成する第1の工程と、
次いで、前記基板に第2のシリコンの原料ガスと、シリコンを窒化するためのシリコン窒化用ガスとを供給して、前記シード層に積層されるように前記シリコン窒化膜を形成する第2の工程と、
を備え、
前記シリコン窒化膜を第1のシリコン窒化膜とすると、前記第1の工程は、
前記第1のシリコンの原料ガスを前記基板に供給して吸着させる工程と、
前記シリコン窒化用ガスをプラズマ化されない状態で前記基板に供給して吸着させる工程と、
前記基板をプラズマに曝し、当該基板に吸着されたシリコン窒化用ガスと前記第1のシリコンの原料ガスとを反応させて前記シリコン含有膜である第2のシリコン窒化膜を形成する工程と、
を含むことを特徴とする成膜方法。
IPC (6件)：
H01L 21/318 ( 200 6.01)
, H01L 21/31 ( 200 6.01)
, C23C 16/42 ( 200 6.01)
, H05H 1/46 ( 200 6.01)
, H01L 21/283 ( 200 6.01)
, H01L 21/768 ( 200 6.01)
H01L 21/318 M
, H01L 21/318 B
, H01L 21/31 C
, C23C 16/42
, H05H 1/46 B
, H01L 21/283 B
, H01L 21/90 P
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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