単一ステップによる選択的窒化の方法および装置

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：園田吉隆 , 小林義教
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-556125
公開番号（公開出願番号）：特表2013-521653
出願日： 2011年02月28日
公開日（公表日）： 2013年06月10日
要約：

半導体基板を選択的に1ステップで窒化するための方法および装置が提供される。窒素は、選択的窒化プロセスを利用することにより、シリコン領域および酸化ケイ素領域を有する半導体基板のシリコン領域中に選択的に組み込まれる。窒素含有プラズマを形成し、このプラズマからイオンをフィルタリングまたは除去することにより、基板に窒素含有ラジカルが向けられてもよく、または、選択前駆体を使用する熱窒化プロセスを実施してもよい。遠隔プラズマジェネレータが、1つまたは複数のイオンフィルタ、シャワーヘッド、およびラジカル分配器を任意に備える処理チャンバに結合されてもよく、または、in situプラズマが生成され、1つまたは複数のイオンフィルタもしくはイオンシールドが、チャンバ内においてプラズマ発生ゾーンと基板支持体との間に配設されてもよい。

請求項（抜粋）：

シリコン領域および酸化ケイ素領域を有する表面を有する半導体基板を処理する方法であって、処理チャンバ内に前記基板を配設するステップと、窒素含有ラジカルを含む混合ガスを前記処理チャンバに供給するステップと、処理チャンバに混合ガスを供給する前に、混合ガスからイオンを除去するステップと、前記基板を前記混合ガスに曝露するステップと、前記基板の前記シリコン領域中に窒素を選択的に組み込むステップを含む、方法。

IPC (6件)：

H01L 21/318 , H01L 21/336 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 21/824 , H01L 27/115

FI (3件)：

H01L21/318 A , H01L29/78 371 , H01L27/10 434

Fターム (33件)：

5F058BA02 , 5F058BA06 , 5F058BA11 , 5F058BA20 , 5F058BC08 , 5F058BC11 , 5F058BF52 , 5F058BF64 , 5F058BF72 , 5F058BJ04 , 5F083EP02 , 5F083EP22 , 5F083EP54 , 5F083EP56 , 5F083EP76 , 5F083ER23 , 5F083GA27 , 5F083JA02 , 5F083JA04 , 5F083JA05 , 5F083NA01 , 5F083NA06 , 5F083PR15 , 5F083ZA21 , 5F101BA01 , 5F101BA29 , 5F101BA36 , 5F101BB02 , 5F101BD34 , 5F101BD35 , 5F101BE07 , 5F101BF05 , 5F101BH06

引用特許：

審査官引用 (11件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-176646 出願人：株式会社東芝
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-177506 出願人：富士通株式会社
リモートプラズマアクティベーテッドナイトライデーション
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-245398 出願人：エーエスエムアメリカインコーポレイテッド

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