特許
J-GLOBAL ID：201303011283741478
薄膜の形成方法及び成膜装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浅井 章弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-240840
公開番号（公開出願番号）：特開2013-082986
出願日： 2011年11月02日
公開日（公表日）： 2013年05月09日
要約：
【課題】比較的低温でも埋め込み特性が良好で且つ表面ラフネスの精度も向上するアモルファス状態の不純物含有のシリコン膜のような薄膜を形成することが可能な薄膜の形成方法を提供する。【解決手段】真空排気が可能になされた処理容器内で被処理体Wの表面にシード膜88と不純物含有のシリコン膜90を形成する薄膜の形成方法において、処理容器内へアミノシラン系ガスと高次シランの内の少なくともいずれか一方のガスよりなるシード膜用原料ガスを供給してシード膜を形成する第1ステップと、処理容器内へシラン系ガスと不純物含有ガスとを供給してアモルファス状態の前記不純物含有のシリコン膜を形成する第2ステップとを有する。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
真空排気が可能になされた処理容器内で被処理体の表面にシード膜と不純物含有のシリコン膜を形成する薄膜の形成方法において、
前記処理容器内へアミノシラン系ガスと高次シランの内の少なくともいずれか一方のガスよりなるシード膜用原料ガスを供給して前記被処理体の表面に前記シード膜を形成する第1ステップと、
前記処理容器内へシラン系ガスと不純物含有ガスとを供給してアモルファス状態の前記不純物含有のシリコン膜を形成する第2ステップとを有するようにしたことを特徴とする薄膜の形成方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (46件)：
4K030AA01
, 4K030AA05
, 4K030AA06
, 4K030AA20
, 4K030BA29
, 4K030BA48
, 4K030BB13
, 4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030DA02
, 4K030FA10
, 4K030GA04
, 4K030GA06
, 4K030JA01
, 4K030JA09
, 4K030JA10
, 4K030KA04
, 4K030KA23
, 4K030LA15
, 5F045AA03
, 5F045AB01
, 5F045AB04
, 5F045AC01
, 5F045AC07
, 5F045AC08
, 5F045AC15
, 5F045AD07
, 5F045AD08
, 5F045AD09
, 5F045AD10
, 5F045AE19
, 5F045AE21
, 5F045AE23
, 5F045AF03
, 5F045AF08
, 5F045AF10
, 5F045BB02
, 5F045BB19
, 5F045DP19
, 5F045DP28
, 5F045EE19
, 5F045EF02
, 5F045EF08
, 5F045EK06
, 5F045HA16
, 5F045HA22
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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