特許
J-GLOBAL ID:202003015322325623
水素発生用電極及び水素発生用電極の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (2件):
正林 真之
, 林 一好
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2019-079377
公開番号(公開出願番号):特開2020-176301
出願日: 2019年04月18日
公開日(公表日): 2020年10月29日
要約:
【課題】高い電流密度とより貴側のオンセット電位となる光電気化学特性を示す水素発生用電極及び水素発生用電極の製造方法を提供すること。【解決手段】光によって水から水素を発生させる水素発生用電極であって、集電層上に、p型半導体層及びn型半導体層をこの順に有し、前記n型半導体層上に助触媒を担持し、前記p型半導体層が、Cuと、Sと、Ga及びInの少なくとも一方と、アルカリ金属とを必須成分として含有し、必要に応じてZn及びSeの少なくとも一方を含有するp型半導体を含む水素発生用電極。【選択図】なし
請求項(抜粋):
光によって水から水素を発生させる水素発生用電極であって、
集電層上に、p型半導体層及びn型半導体層をこの順に有し、前記n型半導体層上に助触媒を担持し、
前記p型半導体層が、Cuと、Sと、Ga及びInの少なくとも一方と、アルカリ金属とを必須成分として含有し、必要に応じてZn及びSeの少なくとも一方を含有するp型半導体を含むことを特徴とする水素発生用電極。
IPC (7件):
C25B 11/06
, C25B 11/08
, C25B 11/04
, B01J 35/02
, B01J 27/057
, B01J 37/02
, C01B 3/04
FI (9件):
C25B11/06 B
, C25B11/06 Z
, C25B11/08
, C25B11/04 A
, B01J35/02 J
, B01J27/057 M
, B01J37/02 301P
, B01J37/02 301N
, C01B3/04 A
Fターム (65件):
4G169AA02
, 4G169AA08
, 4G169AA09
, 4G169BA14B
, 4G169BA48A
, 4G169BB09B
, 4G169BC01A
, 4G169BC02A
, 4G169BC04A
, 4G169BC04B
, 4G169BC17A
, 4G169BC17B
, 4G169BC18A
, 4G169BC18B
, 4G169BC22A
, 4G169BC31A
, 4G169BC31B
, 4G169BC32A
, 4G169BC33A
, 4G169BC35A
, 4G169BC35B
, 4G169BC36A
, 4G169BC36B
, 4G169BC50A
, 4G169BC50B
, 4G169BC51A
, 4G169BC52A
, 4G169BC59B
, 4G169BC68A
, 4G169BC70A
, 4G169BC70B
, 4G169BC71A
, 4G169BC72A
, 4G169BC74A
, 4G169BC75A
, 4G169BC75B
, 4G169BD08A
, 4G169BD08B
, 4G169BD09A
, 4G169BD09B
, 4G169CC33
, 4G169DA05
, 4G169EA08
, 4G169FA03
, 4G169FB02
, 4G169FB21
, 4G169HA02
, 4G169HB06
, 4G169HB10
, 4G169HC02
, 4G169HC15
, 4G169HD05
, 4G169HD09
, 4G169HD13
, 4G169HE09
, 4G169HF02
, 4K011AA18
, 4K011AA21
, 4K011AA22
, 4K011AA31
, 4K011AA39
, 4K011AA51
, 4K011AA56
, 4K011AA66
, 4K011DA01
引用特許:
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