特許
J-GLOBAL ID:202003016055744820

トランスデューサ装置

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2018-199957
公開番号(公開出願番号):特開2020-068448
出願日: 2018年10月24日
公開日(公表日): 2020年04月30日
要約:
【課題】回路素子の遮光性を維持しつつ、小型化を実現し、量産性に優れたトランスデューサ装置を提供する。【解決手段】第1の基板8に形成された回路素子9上に遮蔽膜18を配置するかあるいは回路素子を取り囲むように形成された溝内に遮蔽物質を充填することで、狭い面積で回路素子に入射する光を遮断する。また第1の基板8に第2の基板23を接合する構成とことで、パッケージングされたトランスデューサ装置となる。【選択図】図13
請求項(抜粋):
第1の基板に、貫通孔と、該貫通孔上にスペーサーを介して固定電極を含む固定電極膜と可動電極を含む可動電極膜とを対向配置したトランスデューサ素子と、該トランスデューサ素子の信号を処理する回路素子とを備え、 少なくとも前記回路素子が形成されている前記第1の基板表面に、該第1の基板内に入射する光の遮蔽膜を配置していることを特徴とするトランスデューサ装置。
IPC (1件):
H04R 19/04
FI (1件):
H04R19/04
Fターム (1件):
5D021CC15
引用特許:
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (5件)
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