特許
J-GLOBAL ID：202103005603455080
SiC-SOIデバイスおよびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
吉竹 英俊
, 有田 貴弘
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-134022
公開番号（公開出願番号）：特開2020-013845
特許番号：特許第6968042号
出願日： 2018年07月17日
公開日（公表日）： 2020年01月23日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1基板と、
前記第1基板と絶縁膜を介して接合されたSiC基板とを備え、
前記SiC基板に、デバイス領域と、前記デバイス領域を取り囲む周辺領域とが形成され、
前記デバイス領域は、
第1導電型のドリフト領域と、
前記ドリフト領域を連続的または断続的に取り囲み、前記SiC基板を貫通しない第1トレンチと、
前記第1トレンチの両側面に形成された、前記ドリフト領域より不純物濃度の高い第1導電型の第1拡散領域と、
前記ドリフト領域の下方に形成され前記第1拡散領域と接する、前記ドリフト領域より不純物濃度の高い第1導電型の第2拡散領域と、
前記ドリフト領域の表層に形成された第2導電型の第3拡散領域と、
前記ドリフト領域の前記第3拡散領域よりも深い位置に形成された第2導電型の埋込領域と、
前記ドリフト領域内において前記埋込領域と同じ深さに、前記ドリフト領域の表面と平行に0.4μm以下の間隔で形成された複数の第2薄厚絶縁膜と、を備える、
SiC-SOIデバイス。
IPC (4件)：
H01L 29/872 ( 200 6.01)
, H01L 29/06 ( 200 6.01)
, H01L 29/786 ( 200 6.01)
, H01L 29/47 ( 200 6.01)
H01L 29/86 301 F
, H01L 29/86 301 D
, H01L 29/86 301 E
, H01L 29/06 301 M
, H01L 29/06 301 F
, H01L 29/78 613 Z
, H01L 29/48 D
, H01L 29/48 F
, H01L 29/48 E
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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